Şimdi Ara

CPU ve GPU’larda performansı büyük oranda artıracak yeni teknoloji geliştirildi

Daha Fazla
Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az
2 Misafir - 2 Masaüstü
5 sn
6
Cevap
0
Favori
892
Tıklama
Daha Fazla
İstatistik
  • Konu İstatistikleri Yükleniyor
12 oy
Öne Çıkar
Sayfa: 1
Giriş
Mesaj
  • CPU ve GPU’larda performansı büyük oranda artıracak yeni teknoloji geliştirildi
    Stanford Üniversitesi’nde yürütülen bir araştırma, günümüz CPU ve GPU’larının dahili önbellek performansını önemli ölçüde artırabilecek bir teknoloji üzerinde yoğunlaşıyor. Bu teknoloji, “hibrit kazanımlı hücre belleği” veya hybrid gain cell memory (içerik devamında HGCM olarak kısaltılacak) olarak adlandırılıyor ve SRAM ile DRAM’in avantajlarını bir araya getirerek özellikle depolama yoğunluğunu artırmayı hedefliyor.



    Elektrik Mühendisliği Profesörü Philip Wong’un liderliğindeki araştırma ekibi, GPU'larda kullanılan SRAM tabanlı önbelleklerin, nispeten yavaş olan DRAM’den veri yüklemek zorunda kalması nedeniyle yaşanan bir “bellek duvarı problemi” olduğunu belirtiyor. Bu geçişin çok fazla zaman ve enerji tükettiği ifade edilirken, geleneksel SRAM’e kıyasla daha iyi performans özelliklerine sahip bir teknolojinin geliştirilmesi gerektiği vurgulanıyor.



    SRAM ve DRAM’in kapasite sorunları



    Günümüzde modern çiplerde SRAM, büyük bir alan kaplaması ve bir bitlik veriyi saklamak için dört transistöre ihtiyaç duymasıyla kapasite açısından sınırlayıcı bir faktör haline geliyor. Buna karşılık DRAM, aynı işi tek bir transistör ve ek bileşenlerle yapabiliyor. Ancak DRAM, depolanan verilerin sürekli yenilenmesi gerekmesi gibi dezavantajlarla karşı karşıya.



    CPU ve GPU’larda performansı büyük oranda artıracak yeni teknoloji geliştirildi
    Hibrit kazanımlı hücre belleği teknolojisi, her iki belleğin en iyi özelliklerini tek bir çözümde birleştirmeyi amaçlıyor. Yeni teknolojinin en önemli özelliği, verileri depolamak için ayrı okuma ve yazma transistörlerine sahip olması ve DRAM’in çalışması için gerekli olan ek kapasitör ihtiyacını ortadan kaldırması. Wong’un ekibi, iki farklı malzemeden yapılan transistörler kullanıyor: yazma transistörü için indiyum kalay oksit (ALD ITO), okuma transistörü için ise silikon PMOS. Bu çözüm, iki silikon oksit bazlı transistörden daha performanslı bir seçenek olarak öne çıkıyor.



    Yeni teknolojide performans çok yüksek



    CPU ve GPU’larda performansı büyük oranda artıracak yeni teknoloji geliştirildi
    Yeni bellek teknolojisi performans olarak da iddialı. Yapılan testlerde, bu teknoloji ile çalışan bir cihazın verileri 1 saatten fazla süre saklayabildiği gözlemlendi. DRAM’in her 64 milisaniyede bir yenilenme ihtiyacı göz önüne alındığında, bu büyük bir fark yaratıyor. Ayrıca, veriler DRAM’den 50 kat daha hızlı okunabiliyor; erişim süreleri ise 1 ile 10 nanosaniye arasında değişiyor.



    Ayrıca Bkz.Samsung yeni nesil ekran kartları için sektörün ilk 24Gb GDDR7 belleklerini üretti



    Ancak bu üstün performans özellikleri, her zaman gerçek dünyada daha iyi performansa dönüşmüyor. Araştırma ekibi HGCM teknolojisinin bazı durumlarda SRAM’den daha yavaş olabileceğini, özellikle de daha yüksek veri yoğunluğuna sahip yapılandırmalarda bu yavaşlığın yaşanabileceğini belirtiyor. Her ne olursa olsun, HGCM teknolojisinin en önemli özelliği, düşük seviyeli önbellekler için çok önemli olan daha yüksek depolama kapasitesi sunabilmesi. Daha büyük önbellekler, CPU veya GPU’nun sistem DRAM’inden veri aktarma süresini kısaltarak performansı ve gecikme sürelerini iyileştirebilir. Esasında bu prensip, AMD’nin 3D V-Cache teknolojisinin temelini oluşturuyor.




    Kaynak:https://www.tomshardware.com/pc-components/gpus/hybrid-gain-cell-memory-could-significantly-improve-cpu-gpu-l2-l3-cache-density
    Kaynak:https://dam.stanford.edu/assets/2024-kickoff/dam-kickoff-2024-wong.pdf







  • Neyse bari insanlığa katkım olsun. Çok eskiden bellek kontrolcü (kontrolcüsü değil kontrolcü) anakarttaydı. Sonra işlemciye alındı. NorthBridge de öyle. Uzun yıllar önce, bellek teknolojisinin hatalı olduğunu görmüştüm. AMD eski bir seride (serisinde değil seride) 1/3 oranında SRAM kullanmıştı ve başarım düşmüştü. İlk Celeron'da da L2 (o zamanlar L3 icat edilmemişti) konulmamıştı ve başarım çok düşmüştü. SRAM hayatidir. L2'nin çekirdek kotalı olmasından mütevellit genele hitaben L3 de yine SRAM ihtiyacından ortaya çıkmıştı. DRAM hatadır. Bitboys vardı bir vakit, 12MB SRAM içeren işlemci ile dünyayı tersine çevireceklerdi ama olmadı (tek kollu güreşçi). Rekabetçi işlemci tasarımında bellek olarak yeterli SRAM olmalı (DRAM olmamalı). Ama şimdi düzen kurulmuş, yıllık ürün geliştirme döngüsüne çomak sokup kim böyle bir yola girecek... İşlemci tasarlarken tüm süreci optimize ederken, kılı kırk yararken, belleğe veri yazma ve bellekten veri okuma o kadar uzun ki... İşte bu yüzden (pahalı da olsa) SRAM ile yola devam edilmeli.
  • Neyse bari insanlığa katkım olsun. Çok eskiden bellek kontrolcü (kontrolcüsü değil kontrolcü) anakarttaydı. Sonra işlemciye alındı. NorthBridge de öyle. Uzun yıllar önce, bellek teknolojisinin hatalı olduğunu görmüştüm. AMD eski bir seride (serisinde değil seride) 1/3 oranında SRAM kullanmıştı ve başarım düşmüştü. İlk Celeron'da da L2 (o zamanlar L3 icat edilmemişti) konulmamıştı ve başarım çok düşmüştü. SRAM hayatidir. L2'nin çekirdek kotalı olmasından mütevellit genele hitaben L3 de yine SRAM ihtiyacından ortaya çıkmıştı. DRAM hatadır. Bitboys vardı bir vakit, 12MB SRAM içeren işlemci ile dünyayı tersine çevireceklerdi ama olmadı (tek kollu güreşçi). Rekabetçi işlemci tasarımında bellek olarak yeterli SRAM olmalı (DRAM olmamalı). Ama şimdi düzen kurulmuş, yıllık ürün geliştirme döngüsüne çomak sokup kim böyle bir yola girecek... İşlemci tasarlarken tüm süreci optimize ederken, kılı kırk yararken, belleğe veri yazma ve bellekten veri okuma o kadar uzun ki... İşte bu yüzden (pahalı da olsa) SRAM ile yola devam edilmeli.





  • Spesifik bir kaynak paylaşımı yapmamışsınız. Siteyi paylaşmakla olmuyor hangi haberi veya paper’ı okudunuz onu arıyorum bir süredir.

    < Bu ileti iOS uygulamasından atıldı >
  • SeherOva I2L2W S kullanıcısına yanıt
    Spesifik kaynakları zaten paylaştım; yazı sonundaki kaynakça kısmında görülüyor. Ek olarak buraya da bakabilirsiniz:
    ieeexplore.ieee.org
    First Experimental Demonstration of Hybrid Gain Cell Memory with Si PMOS and ITO FET for High-speed On-chip Memory
    https://ieeexplore.ieee.org/document/10631344





  • LuckyNack5 L kullanıcısına yanıt
    hatirliyorum celeron faciasini, facia da denmez aslinda oyle istediler oyle yaptilar. Sonrasinda 128kb eklenmisti ve performans bir anda sahlanmisti. islemcilerin hala slot oldugu donemlerden. celeron 300A ya buradan selam olsun.

  • 
Sayfa: 1
- x
Bildirim
mesajınız kopyalandı (ctrl+v) yapıştırmak istediğiniz yere yapıştırabilirsiniz.