Yeni Kayıt
Konudaki Resimler
|
Hızlı 
Bildirim
isis de mosfet simulasyonu
Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar
Editörün Seçtiği Fırsatlar
Daha Fazla 
Bu Konudaki Kullanıcılar:
Daha Az 
2 Misafir - 2 Masaüstü
Giriş
Mesaj
-
-
quote:
Orijinalden alıntı: jannavori
iyi günler isisde mosfet simulasyonu yapmak istedim olmadı. 0.1 Voltta versem 5 voltta versem çıkış değeri değişmiyor mosfetin giriş voltajı ile aynı.
amacım pwm ile mosfet çıkış voltajını ayarlamak
teşekkürler
Merhaba,galiba mosfet devresinde gate ucunu yüksek değer omajlı bir direnç ile ters polarma edip sönüme götürmediğinizden mosfetin doğal özelliği gereği devamlı iletimde kalıyor.
Sorunuzu okuyunca hemen ISIS üzerinde demek istediğimi anlatmaya çalıştım.
Eklediğim resimde göreceğiniz gibi;
2 ayrı resimde de button açık olduğu halde resimin birinde fet iletimde,diğerinde iletimde değil.İletimde olmayan R1 direncine dikkat çekerim.Yani bir mosfet devresi birinci resimdeki gibi olmalı yani iletimde olmayacağı zaman ters polarma edilmeli.
TERS POLARMA;
Kanal çeşidine göre(P ya da N) gate ucuna uygun voltajda ve dirençli ters akım vererek mosfetin sönüme gitmesini sağlamaktır.Daha açıkçası,N kanallı mosfetde eksi,,P kanallı da artı akım.Tabi uygun voltaj ve dirençli olmalı.Dirençden maksat akımı nanoamper kademelerinde tutmak amaçlı.Hayırlı günler.
< Bu mesaj bu kişi tarafından değiştirildi malisert32 -- 29 Ağustos 2013; 12:55:42 >
-
ben gate ye uygulanacak 0-5 volt ile mosfettin çıkış voltajını değiştirmek istiyorum aslında -
Kısaca,bu isteğinizi transistörler üzerinde uygulayın.Mosfetler bu isteğinize uygun değildir.Çünkü mosfetler en yüksek gerilim kayıplı çalışan yarı iletkenlerdir.Ama 5 volt değil de daha yüksek voltajlarda olsaydı bu defa daima 4 volt kayıplı çalışır ki siz bunu da istemiyorsunuz. -
mosfetlerin istediğiniz gibi nasıl kullanılabileceği resimde açıklanmıştır. üsttekiler mosfetlerin iletimde olmadığı durum yanındaki tabloda da devreki noktalarda ölçülen voltajları yazıyor. alttakiler mosfetlerin iletim durumunu ve devre voltajlarını veriyor.
@malisert hocam, mosfetler en az gerilim kaybı olan devre elemanıdır. resimdeki devrede ,5V devre gerilimini sadece milivolt seviyesinde kayıpla yüke aktarabiliyor.
-
Merhaba sayın nowanda hocam;
Kısaca konuya gireyim müsaadenizle,,,Efendim yarı iletkenlerde genel kural mosfetler gerilim (volt) ile transistörler akım ile çalışır(sürülür) biliriz.
Sizin milivolt seviyesinde kayıpla aktarma sözünüzü acizane düzeltmek gerekirse;
mosfetler milivolt değil nanoamperler seviyesinde akım kayıbı ile iletime geçer (çalışır)demek bence daha doğru olandır.Yani biraz daha açayım,
Mosfetler gerilimle,,,,transistörler akımla sürülür....
Sizinde bildiğiniz gibi bir devrede akım kayıbı varsa voltaj düşümü yaşanır.Mosfetler gate ucundan akım çekmeseler de iletime geçme alt sınır voltajı 3,8-4 volt civarıdır.Bilahssa seri regüle devresinde.
Şimdi geleyim mosfetlerdeki voltaj kayıbına hocam,,,,
Ekleyeceğim resimleri ISIS ile yazınızı okuyunca oluşturdum.Resimlerde de görüleceği gibi mosfetlerin her iki devre durumunda da (gerek anahtarlama modunda gerekse seri regüle devrelerinde) 3,8 volt civarı kayıpla çalışırlar.Altını çiziyorum,,,3,8 Volt civarı kayıpla.
Bunu bildiğim kadarıyla açayım;
Seri regüle devrede gate ucuna verilen voltajın yaklaşık 3,8 volt eksiğinde source ucundan gerilim çıkışı ölçüldüğü(dikkat çekerim akım değil,nanoamper seviyelerinde akımlı gerilim yani voltajdan bahsediyorum)görülür.
*****Anahtarlama modunda ise gate gerilimi yani voltajı yaklaşık 3,8 volta gelinceye kadar mosfet iletime geçmez.*********
Anahtarlama modunda iletime girdiği anda eyvallah gerilim kayıbı söz konusu değildir.
< Bu mesaj bu kişi tarafından değiştirildi malisert32 -- 31 Ağustos 2013; 1:06:16 >
-
Oysa transistörler yaklaşık 0,7 volt kayıpla çalışır,hem seri regüle de hem anahtar olarak kullanımda.Ama bir fark var ki transistörün durumuna göre(darlington vb.)base ucundan verilen gerilim yanında akım da çekerler.
Not=Sürçü lisan ettiysek af ola,amaç faydalı olmak adına paylaşımdır inş.
-
@malisert,
-mosfetde voltaj kaybı denildiğinde anlaşılan D-S arası kayıptır. buradan yük akımı geçtiği için,D-S arası gerilim farkı ne kadar olursa ,V*I kadar yüke aktarılan güçte kayıp olur. önemli olan budur. örneğin;
-iletim durumunda 20mOhm dirence dönüşen mosfet , 1A yük akımında 0,02 volt kaybıyla 0,02W güç harcar.
-aynı koşullarda silikon P-N transistor 0,7 volt kayıp ve 0,7W güç kaybına yol açar. -
Sayın nowanda,
Bu durumda konuya ışık tutması açısından size şu soruyu sorayım;
Madem drain-source arası gerilim kayıbı anlaşılır bu durumda neden mosfetlerle seri regüle devresi yapılmaz?
Evet neden mosfetlerle seri regüle yapılmazda transistörlerle yapılır? -
neden yapılmasın hocam yapılır. buradaki gibi.
-
Sayın nowanda hocam;
Örneğinizdeki devrede kullandığınız fet P kanal ve bu devrenin kuralı aç kapaya dayanır değilmi? Yani hocam bir seri regüle devresindeki tam filtrelenmiş dalgasız temiz bir doğru akımı bu devreden bekleyemeyiz herhalde.
Oysa ki,istenilen özelliklerde doğru akım çıkışlı regülatör için kullanılan transistör modellerinde aynı devrede NPN tr. kullanılarak gelen temiz doğru akımı bozmadan çıkışa veren seri regüle istenir ki örneğinizdeki devre bunu karşılayamaz.
Sadede geleyim;
Yukardaki sizin; mosfetler D-S arası en düşük voltaj kayıplı elemandır tezinizi,fikrinizi şu mosfet örneği çürütür.
Bu mosfet;STP2N60,,,bildiğiniz gibi bu da mosfet ama tam sürümde D-S arası direnci 8 ohm. Bu mosfetden 1amper akım çektiğimizde kayıp ne?Kayıp=8 watt.
İşte bu mosfet örneğinde göreceğiniz gibi mosfetlerin voltaj kayıbı tam sürümdeki D-S arası direnci ile tespit edilmez,,,,Gate ucuna verilen gerilim ile D-S arasındaki iletime geçme voltajı farkı ile tespit edilir.
Hayırlı günler.
< Bu mesaj bu kişi tarafından değiştirildi malisert32 -- 1 Eylül 2013; 11:46:34 >
-
malisert hocam, verdiğim örnek devre aç-kapa değil, lineer çalıyor. transistörden daha temiz çıkış verir.
stp2n60 özel bir mos, yüksek gerilim dayanımı (600V) olduğu için D-S direnci biraz yüksek ama 8 değil 3,5 ohm.
hocam mos daki fiziksel yapı ortadır. belli avantajları vardır.özellikle düşük gerilimlerdeki anahtarlama işleri kullanılır.
sizin dediğiniz gibi yüksek voltaj kayıpları olsa, bilgisayar anakartlarında mos yerine silisyum transistör kullanırlardı.
örneğin bir CPU voltaj regülatörü, 1V da 100 amper'e kadar çıkış verir. bu akımı silisyum transistör verseydi, en az 0,7 volt kendi üzerinde kayıpla 70W regule devresinde güç kaybı olurdu.
bir avantajı da voltajla kontrol edildiği için logic çıkışlara uyum sağlar.
transistörün de avantajları vardır. tasarımcı ihtiyacına göre tercih yapar.
rail to rail opampların çıkış katları mos tur mesela. çıkışı besleme ile ground arasında tam olarak değiştirmek için voltaj kaybı olmadığı için mos tercih edilir.
saygılar ,kolay gelsin.
-
bakın 5V bir kaynağı 7 tane mosfet ten seri olarak geçirip, lambaya 4.69V olarak ulaştırabiliyoruz.
7 adet transistördeki toplam voltaj kaybı sadece 0,31 volt.
bunu silisyum transistörle dener misiniz?
-
Sayın nowanda hocam,mosfetlerin marifetlerine zaten bende eyvallah diyorum.Bilhassa daha yüksek akımları güvenle geçirmeleri,daha yüksek frekansda sorunsuz çalışmaları,uyartım gerilimi olarak çok düşük güce ihtiyaç duyması ve daha bir çok sebepden mosfetler tartışılmaz üstündür.Elbette 2NC60(önceki yazımda C'yi eklememişiyim) D-S iç direnci 8 ohm olsa da 0,002 ohm iç direnci olan mosfetlerde var.Zaten orada benim anlatmak istediğim farklıydı.
Eklemeden geçemeyeceğim;yukardaki yazılarımla mosfetleri sevmediğim anlaşılmasın,bilakis 80-90 amper devamlı kapasitede R.Enerjisi şarj ünitelerini mosfet gurupları ile yapabilmiştim.Elbette mosfetler teknoloji harikası ürünler gurubundandır.
Bir çok devremde IRF9540 kullandığım gibi IRF4905 gibi daha yüksek güçlülerini de kullandım.Hatda elimde bol miktarda 4905'de var.Tabi N channel olan gurupları kullandığımı bahsetmeme gerek yok.
Kısaca seri güçlü devreler haricinde devamlı mosfet-IGBT kullanır oldum.Seri regülelerde MJ21194,MJ11032,MJ11033 gibi TR.ler kullanıyorum.
Her neyse hocam,karşılıklı bu yazışmamız faydalı oldu,çok teşekkür ederim.
2NC60'ın datasheet görüntüsünden bir resim ekliyorum.Belki de siz arada C harfi varmıydı
,,,,C varsa evet 8 ohm diyeceksinizdir.
-
Merhabalar, İlk defa fet kullanmak nasip oldu fakat biaraz sorunla karşılaştım. Bu fetin iletime geçme voltajı 4V civarlarında fet aşırı derecede ısınıyor. Fakat yükset voltlarda en ufak bir sıkıntı yok. Araçta röle gibi kullanmak istiyorum bu feti. Fakat bağlı olduğu konum yeri itibariyle bazı özel durumlarda düşük voltajlar alabiliyor. Bu durumdada tam iletime geçemediğinden ısınma sorunları oluyor. Amacım sade ufak bir devre yapmak. Örneğin bu ufak voltajlarda tetikleme vermeyecek mesele atıyorum dedikki 6V ve üzeri tetikleme yapsın 6V altını 0V muş gibi kabul edip hiçbir şekilde feti tetiklemeyecek. Umarım anlatabilmişimdir. Tek koşul en sade en basit şekliyle yapmak çünkü çok küçük bir boyutta olması lazım. Teşekkürler.
Sayfa:
1
Ip işlemleri
Bu mesaj IP'si ile atılan mesajları ara Bu kullanıcının son IP'si ile atılan mesajları ara Bu mesaj IP'si ile kullanıcı ara Bu kullanıcının son IP'si ile kullanıcı ara
KAPAT X
Bu mesaj IP'si ile atılan mesajları ara Bu kullanıcının son IP'si ile atılan mesajları ara Bu mesaj IP'si ile kullanıcı ara Bu kullanıcının son IP'si ile kullanıcı ara
KAPAT X
