DDR3 DDR4 OVERCLOCK YARDİMLAŞMA (14. sayfa)

DDR3 DDR4 OVERCLOCK YARDİMLAŞMA - Sayfa 14

sensation45 · 2016-05-05T21:29:34.0000000+03:00

http://www.maxxpi.net/pages/downloads/maxxmemsup2---preview.php mrb arkadaşlar linkteki programla ramlerinizi test edebilirsiniz https://cloud.mail.ru/public/2371/esm6tpSeG aida64 burdan indirebbilirsiniz http://www.guru3d.com/files-get/sandra-sisoft-download,11.html sisoft sandra 2016 test programi bu link te bu program ile de test sonuçlari alabilirsiniz http://www.hardwareluxx.de/community/f13/g-skill-ddr3-ic-sammelthread-924433.html Corsair drr3 ic kodlari SADECE GSKİLL RAMLER İÇİN GEÇERLİDİR evet arkadaşlar resimdeki sn numarasindan kare içine alinan 4 hane rakam RAM i nizin chip (spec) kodudur buna gore raminizin soğutucularini sokmeden chip lerin markasini öğrenebilirsiniz.. belli kodlari ekliyorum guncel olmayan çipler olabilir onuda google amcadan arastirabilirsiniz.... 01xx - Micron DDR: DDR2: DDR3: 0140/0150/0160 02xx - Hynix DDR: 0200 DDR2: 0230 DDR3: 0240/0260 03xx - Samsung DDR: DDR2: DDR3: 0340/0360 06xx - Elpida DDR: DDR2: DDR3: 0640 DDR3: 0650/0660 BBSE DDR3: 0690 MxH-E Hyper (small chance of BBSE/EBSE) 07xx - Elixir (/Nanya) DDR: DDR2: DDR3: 0740 08xx - Nanya (sometimes eTT/uTT) DDR: 0800 DDR2: 0830 DDR3: 0840/0860 09xx - PSC eTT/uTT DDR: DDR2: 0901/0930 DDR3: 0940 10xx - Powerchip/PSC DDR: DDR2: 1020/1030 DDR3: 1040 11xx - SpecTek (/Micron) DDR: DDR2: DDR3: 1120/1140 12xx - Qimonda/Aeneon (sometimes eTT/uTT) DDR: DDR2: 1230/1250 DDR3: 1240/1260 13xx - ProMOS? (possibly blank IC) DDR: DDR2: DDR3: 1340 The last two digits of the serial numbers indicate the speed bin originally assigned by the IC manufacturer: xx00 = DDR-333 2.5-3-3 xx01 = DDR2-533 ?-?-? xx20 = DDR2-667 ?-?-? / DDR3-1066 7-7-7 xx30 = DDR2-800 5-5-5 xx40 = DDR3-1333 9-9-9 xx50 = ??? xx60 = DDR3-1600 11-11-11 xx90 = DDR3-2133 12-12-12 Since April 2012 G.Skill is using new numbers: AB40 - Samsung/Hynix (seems to be both, only used for a short time) 000x - Hynix (only on samples?) 0000 x10x - Nanya eTT/uTT DDR2: DDR3: 2100 x15x - ??? eTT/uTT DDR2: DDR3: 2150 x20x - Powerchip/PSC (sometimes eTT/uTT) DDR2: 9200 DDR3: 1200 x30x - Micron DDR2: DDR3: DDR4: 3300 x40x - Hynix DDR2: 8400 DDR3: 1400/140H/2400 DDR4: 3400/A400 x50x - Samsung DDR2: DDR3: 1500/2500/250B DDR4: 3500/A500 x60x - SpecTek (/Micron) DDR2: DDR3: 1600 DDR4: x80x - Elpida DDR2: DDR3: 0800/1800/2800 DDR3: 3800 MxH-E Hyper The first digit of the new serial numbers indicates the speed bin originally assigned by the IC manufacturer: 0xxx = DDR3-1066 7-7-7 1xxx = DDR3-1333 9-9-9 2xxx = DDR3-1600 11-11-11 3xxx = DDR3-2133 12-12-12 / DDR4-2133 15-15-15 Axxx = DDR4-2400 17-17-17 8xxx = DDR2-667 5-5-5 9xxx = DDR2-800 5-5-5 These four digits are followed by six more digits which seem to be consecutive numbers assigned to each kit. This is it for now! Of course credit for this goes to many people like Tapakah, stunned_guy and many more! If you need any more info about a specific memory kit, please visit the RAMlist at i4memory. Edit 02.11.12: I've added some info from OCX, I see Tapakah has updated his thread tonight as well. ^^ Edit 18.11.12: Update for x100 and x600 Edit 20.11.12: Update for 2100, added 0800 Edit 21.11.12: Decided to put 2100 and 2150 into different categories Edit 08.12.12: Update for 1240 -> Qimonda Edit 16.12.12: Small corrections Edit 22.01.13: Added 1340 -> ProMOS, 09xx changed to "no idea" Edit 09.03.13: Added 3800 -> Elpida MxH-E Hyper Edit 25.03.13: Added 0940 -> PSC eTT/uTT Edit 12.04.14: Added 0690 -> EBSE Edit 31.05.14: Fourth spot changed to variable Edit 16.09.14: Added 0150 -> Only D9GTR? (1600 7-7-7 @ 1.9V kits) Edit 06.10.14: Added 3400 -> DDR4 only so far, marked in italic Edit 17.11.14: Added 3300 -> DDR4 only so far, marked in italic, seen on F4-2400C15Q-16GRB kit Edit 04.12.14: Added 3500 -> DDR4 only so far, marked in italic Edit 20.02.15: Added info about speed bins xx40 etc. and 0xxx etc. Edit 25.02.15: Changed marking for DDR, DDR2, DDR3, DDR4 Edit 25.02.15: Added 8400 -> Hynix DDR2 Edit 25.02.15: Added 0200 -> Hynix DDR Edit 25.02.15: Added 1030 -> PSC DDR2 Edit 25.02.15: Added 1250 -> Qimonda DDR2? Edit 25.02.15: Added 0800 -> Nanya DDR Edit 25.02.15: Added 9200 -> PSC DDR2 TJT192A3G-M Edit 25.02.15: Added 0901 -> PSC ETT DDR2 Edit 25.02.15: Added 1020 -> PSC DDR2 Edit 25.02.15: Added 0230 -> Hynix DDR2 Edit 25.02.15: Added 0930 -> PSC ETT DDR2 Edit 25.02.15: Added 0830 -> Nanya DDR2 Edit 25.02.15: Added 1230 -> ProMOS DDR2 Edit 29.06.15: Added A400 -> Hynix DDR4 Edit 29.06.15: Added A500 -> Samsung DDR4 : Added speed bin Axxx -> DDR4-2400 TİMİNG LERİN ANLAMLARİ -Cas # Gecikme (tCL). Söylüyorum bellek denetleyicisi arasında geçen saatler sayısı geçerli satırda belirli bir sütun erişmek için bellek modülünü, ve o sütundaki verilere modülün çıkış pimleri okunan. -RAS # ile CAS # Gecikme (tRCD). Arka arkaya arasına yerleştirilen saatlerin sayısı komutunu etkinleştirmek Kontrolleri ve bir okuma ya da satıra komutu yazın. Son Intel yonga seti (965 ve P35) ayrı ayrı CAS # Yaz Delay CAS # Oku Delay ve RAS # RAS # değiştirmek için izin -RAS # Ön şarj (tRP). Bir satır Ön şarj arasına yerleştirilir saatlerin sayısını kontrol komuta ve aynı rütbe activate komutuyla. -Varj geciktirme (tRAS) için etkinleştirin. Bir banka aktif komutu ve veren arasında alınan saatlerin sayısı önyükleme komutunu. Genellikle, tRAS = tCL + tRCD + 2. -Mevcut Döngü Süresi (tRC). Bir bellek satır için gereken saat döngüsü asgari sayısını belirler ve ön şarjı kadar satır aktivasyonu, tam bir döngüsünü tamamlamak aktif satırda. En iyi performans için, olabildiğince düşük değeri kullanın tRC = tRAS + tRP formülüne göre. Örneğin: Bellek modülünün tRAS 7 saat döngüsü ve onun tRP 4 saat döngüleri, eğer o satır döngü süresi veya tRC 11 saat devri olmalıdır. -Geri Geciktirme / Yenileme Döngüsü Süresini (tRFC) etkinleştirmek için yenileyin. Bir Yenile komutu (REF) ölçülen saat sayısını belirler Aynı değerde ilk etkinleştirme komutu (ACT) kadar -Geri Yenileme Modu Seç (RMS) / Yenileme Süresi (tREF). Yenilemelerin hangi oranda yürütüleceğini belirler. Diğer zamanlara aksine, daha yüksek bir değer performansı için daha iyidir. Saat Başına Komut Hızı / Komutanlığı (1T / 2T). Bir bellek yongası seçildiğinde ve ilk aktif olduğunda arasındaki gecikme komutu verilebilir. Bir bellek belirlemek faktörler alt bir 1T komut hızı tolere edebilir numarası dahil, çoktur hafıza bankaların mevcut DIMM sayısı ve DIMM kalitesi. -Performans Seviyesi / Okuma Gecikmesi (tRD). TRD DRAM Chip Select # assert bellek saatlerin sayısı FSB Veri Hazır # iddiasını Host. Performans ve istikrar üzerindeki yükseklik etkisi. -Geçiş Öncesi Gecikme / Yazma Kurtarma Süresini (tWR) yaz. -Write Kurtarma zaman değerleri genellikle 3 10 arası olan bir iç dram zamanlaması Bu sonra geçmesi gereken (saat döngüsü içinde) gecikme miktarını belirten etkin bir banka precharged önce, geçerli bir yazma işlemi tamamlandıktan. Ön Şarj için -Write bir komut gecikme ve aynı calculed edilir: Precharge = tCL Yazın - 1 + BL / 2 + TWR. BL (Burst Lenght) neredeyse her zaman 8'dir. -Görüntülü Okuma Komutu Gecikmeli Okuma / Gecikmeli Okuma Geciktirme (tWTR). Genellikle 2 8. değerlerdir, gecikme dahili dram zamanlaması Oku -Write son geçerli yazma işlemi ve gelecek arasında saat sayısı specifie aynı iç bankaya okuma komutuna komutunu Oku -Write bir komut gecikme ve : olarak calculed edilir - 1 + BL / 2 + tWTR = tCL okumak için yazın. BL (Burst Lenght) neredeyse her zaman 8'dir. -Geciktirmeyi etkinleştirmek için Etkinleştir (tRRD). Aynı sıradaki farklı bankalarda iki sıra arasındaki saat sayısı etkinleştirilir. -Önceden şarj gecikmesini (tRTP) okuyun. Bir satır için bir okuma komutu arasındaki eklenen saatlerin sayısı Aynı değerde öncesi şarj komuta. -Bazı yazma gecikmesini okuyun (tRTW). Yazma için bir okuma komutu arasındaki eklenen saatlerin sayısı aynı rütbesine komuta. - Dönme Gezisi Gecikmesi. Sonra Oku veri eklenir Uncore saatlerin sayısı Oku Cas # DIMM gönderilir. -Oturum Açma Penceresi (tFAW). Dört aktivasyonun aynı sıralamaya izin verileceği zaman penceresini belirtir. -Precharge delay (tPTP) için yedekleme yapın. İki Precharge komutuyla arasına yerleştirilir saatlerin sayısı aynı değerde farklı bankalar. Yazma-Oku Komut Aralığı (tWR-RD). Bu alan ihtiyacı veri yolu üzerindeki turn-around saatlerin sayısını belirler yazma komuta ve farklı Rank bir sonraki okuma komutu arasındaki eklenecek. -Read-Write Komut Aralığı (tRD-WR). Bu alan veri yolu üzerindeki turn-around saatlerin sayısı ihtiyacı belirleyen okuma komuta ve farklı Rank bir sonraki yaz komutu arasındaki eklenecek. -Write-Write Komut Aralığı (tWR-WR). Bu alan için WR-WR dizisi için DQ otobüse dönüş süresini kontrol bir kanalda farklı sıralarda

Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar

Editörün Seçtiği Fırsatlar

Samsung Galaxy S25: Yapay Zeka Parmaklarınızın Ucunda https://amzn.to/40CnvTY

Samsung Galaxy S25 Ultra, Yapay Zeka(AI) Telefon, 12GB RAM, 512GB Hafıza, Titanyum Gri, Android Akıllı Telefon, 200MP Kamera, S Pen, Uzun Pil Ömrü (Samsung Türkiye Garantili) : Amazon.com.tr: Elektronik https://www.amazon.com.tr/dp/B0DT6WD95C 6 gün önce paylaşıldı

Primanova Banyo Köşe Rafı, 26 cm, 3 Raf, Kapaklı Hazne, Şeffaf Naturel : Amazon.com.tr: Ev ve Yaşam https://www.amazon.com.tr/dp/B07CC6GYPG 23 sa. önce paylaşıldı

Daha Fazla

Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az

2 Misafir - 2 Masaüstü

5 sn

483
Cevap

5
Favori

9.843
Tıklama

Daha Fazla
İstatistik

Konu İstatistikleri Yükleniyor

Konuya Özel

1 oy

Öne Çıkar

Cevapla

Sayfa:

önceki 12 13 14 15 16

Giriş

Mesaj

Overlord7134

Yarbay

2560 Mesaj