IBM, 10 nanometre eşiğini aştı!

IBM ve beraber çalıştığı GlobalFoundries, Samsung, SUNY(ABD New York Üniversitesi) ve birçok iştirakı ekipman sağlayıcılarıyla, dünyanın ilk 7 nanometre işleyen transistörleri olan çip tasarımını geliştirmeyi başardı. 7 nm çiplerinin sürüm üretimine halen en az iki senelik bir geliştirme süreci olsa da, IBM ve ortaklarının elinden çıkan bu test çipi çok önem arzediyor: bu, ilk çalışan 10 nm altı çip(neresinden bakarsanız bakın oldukça etkileyici); bu ilk ticari olarak geçerliliği olan 10 nm altı FinFET mantık çipi, kanal malzemesi olarak Silisyum-Germanyum ametallerini kullanıyor; bir de Sınır Mor Ötesi Işın Basımı" teknolojisiyle tasarlanan ilk ticari örnek.

Bu 7 nm test çipi, IBM/SUNY (New York Eyalet Üniversitesi) Politeknik 300 mm araştırma fakültesinde geliştirildi. Transistör seçimi FinFET türündeyken, ticarileşmiş günümüz FinFET'lerinden ciddi bir fark taşıyorlar: kanal malzemesi olarak Silisyum Germanyum alaşımından oluşuyorlar, sadece Silisyumdan ziyade. Böylesine küçük boyutlara, ulaşmak için kendiliğinden hizalanan dördüz desenleme(SAQR) ve EUV Sınır Uç Mor Ötesi Işın Basımı teknolojilerinden faydalanılmış.

Fevkalade biçimde akıl almaz sıkı derişimli olmasından ötürü (transistör adımı 30 nm), IBM yüzey alanı küçülmesinin şimdiki 10 nm süreçlerinden %30 ila 50 ölçüsünde ileride olduğunu belirtiyor. Sonuç olarak IBM ve ortaklarının günümüz 10nm süreçlerine göre, "Gelecek nesil sistemlerde en az %50 güç/performans geliştirmesini" hedeflediklerini öğreniyoruz. Günümüz 14 nm teknolojisi karşısındaki üstünlük ise daha bile belirginleşecek.

İlerleme anlamında, SiGe ve EUV'nin ikisi beraber de çok sarsıcılar. SiGe, saf Silisyum'dan daha yüksek elektron hareketliliğine sahip, bu sayede de daha küçük transistörlere daha elverişli. İki Silisyum atom çekirdeği arasındaki mesafe yaklaşık 0.5 nanometre; kapı eşiği gittikçe küçüldükçe - ki; 7 nm'de olacağı gibi - kanal genişliği o kadar küçülüyor ki; bir avuç silisyum atomu yeterli akım taşıyıcılığını yapamaz oluyorlar. Bunların aralarına bir miktar Germanyum katarak, kanaldaki elektron hareketliği toparlanıyor ve yeterli akım geçişi sağlanmış oluyor. Silisyum normalde 10 nm süreçleri altında sorun yaşamakta ve bu sebeple Intel ve TSMC'nin de yol haritasında IBM, GlobalFoundries ve Samsung'un kurmuş olduğu Ortak Geliştirme Birliği'ne benzer bir yol haritasını takip edeceğini varsayabiliriz.

EUV ışınbasımı ise çok daha etkileyici bir buluş. Basitçe söylemek gerekirse, çipteki nüanslar küçüldükçe, daha dar bir ışın demeti ile bu özellikleri doğru desenlemek gerekiyor, yoksa çoklu desen kılavuzuna ihtiyacınız oluyor(ki buna burada değinmiyoruz). Şimdiki en gelişmiş ışınbasımı ise 193 nanometrelik bir Argon Flor lazeriyle yapılıyor; yani 193 nm dalgaboyunda lazer ışınıyla. 193nm ışın kaynağıyla 14 nm incelikleri işlemek, çok karmaşık ışık bilgisi ve birbirinden zor badireleri aşarak ancak gerçekleşiyor. EUV ise sadece 13.5 nm dalgaboyuna sahip, bu da bizim kolaylıkla10 nm'den küçük nüanslara ulaşmamızı sağlıyor, fakat şimdiye kadar kullanımı çok zor ve çok da pahalı olarak göze çarpmıştı(birkaç yıldır eli kulağında bekleniyordu).

IBM, GlobalFoundries ve Samsung'un birdenbire EUV'yi ticari olarak kullanılabilir yapacak bir mucize bulduklarını düşünmesek de, onların birkaç seneye, o da 2017-2018'e doğru, 7 nanometrenin çıkış tarihine kadar geride kalan üç beş pürüzünün de temize çıkmasını hesap ettiklerini tahmin ediyoruz.

"Seri üretim 7nm transistör, 30 nm adım mesafesiyle (bir transistörün ön uç sınırıyla bir ardışığının ön ucu arasındaki mesafe)"

IBM bu önemli ana dair pek fazla açıklama yapmasa da, biz yine de IBM Araştırma'daki 10 nm altı araştırmaları için kilit kişisi Mukesh V. Khare'yi sıkıştırarak biraz daha bilgi almayı başardık. Bu 7 nm üretiminin gerçekten de seri üretim için yapılabilir bir çip mi olduğu, yoksa tek seferlik bir çip tasarımıyla rakipleri Intel ve TSMC'nin yüreğine korku düşürmek amacıyla mı üretildiğine dair sorulduğunda sözü alan Khare:

- "IBM Araştırma Birlikteliği'nin işi teknolojiye yoğunlaşarak IBM ve ortaklarının ürün ihtiyaçlarında kullanılabilirliği hedef alır. 7 nm süreci IBM ortaklığıyla tanımlanmıştır ve burada üretilen test çipi de aynı hedef ürünlere yöneliktir ve aynı teknolojik yeterliliklere yönelik geliştirilmiştir".

Khare'ye 7 nm sürecinin ticari olarak gerçekleşebilirliğine dair de sorular yönelttik. Genelde çip yapanlar, daha küçük süreçlere geçtikçe, tek bir ham zar alanından daha fazla çip elde edebileceği için her çipin fiyatı düşer. Son birkaç sene içerisinde ise, 28 nm ötesine geçtikçe, yeni süreçler o kadar karmaşık oldular ki; fiyatlardaki düşüşlerin ardı arkası kesildi. Khare'nin bu soruya yanıtı biraz orta yolu bulmak gayretindeydi:

- "Küçülmenin her zaman yeni nesil çipleri daha az fiyata ortaya koyabileceği belli değil. 7 nm çiplerle elde edilen performans toparlanmasına ve güç verimliliğine bakarak, maliyetine göre performansı dengesi, onu geçerli bir teknoloji kılıyor. Şimdi ise, beklemekteyiz. 10 nm süreci, şimdilik Intel, TSMC, GlobalFoundries ve Samsung ile ticarete dökülüyor. Ne zaman 7 nm'nin hacimli üretime geçebileceğine dair tahmin yürütmek için henüz çok erken. Daha bu hafta, Intel'in 10 nm ve onda geliştireceği Cannonlake(2016/2017'yi bekleyen) üretimlerinin askıya alındığı haberi sızdı. Kuramsal analmda, 7 nm'nin 2017/2018 döneminde işlemeye başlaması gerek, fakat bu hedefleri hatırlı oranda ıskalarsa da inanın şaşırmayız".

IBM ve arkadaşları eğer gerçekten de 10nm'ye erişip, sonrasında da 7 nm'nin pek kolayca üstesinden gelirse, işte o zaman Intel'in süreç uzmanlığı için çekişmesi gerekir.
[Kaynak]

berkke

Yarbay

2100 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

Tsuda

Yüzbaşı

519 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

Tsuda

Yüzbaşı

519 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

mamad

Yarbay

5835 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

beratad

Binbaşı

1191 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

YAZICIOĞLU

Yarbay

4408 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

KARA23

Yüzbaşı

382 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

redoracle

Yarbay

4515 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

curukcul

Teğmen

166 Mesaj

Tüm Başarılarını Gör

IBM, 10 nanometre eşiğini aştı!

Benzer içerikler