Kioxia, 2031 yılında 1000 katmanlı NAND bellek üretmeyi planlıyor

3D NAND belleklerde kayıt yoğunluğun arttırmanın en iyi yolu aktif katman sayısını arttırmaktan geçiyor. NAND bellek üreticileri de bu nedenle yıllardır katman sayısını arttırmak için uğraşıyor. Katman sayısının artırması için NAND hücrelerinin hem yatay hem de dikey olarak küçülmesi gerektiğinden, daha gelişmiş üretim süreçlerinin kullanılması gerekiyor. Bu da beraberinde yeni malzemelerin kullanılması gibi çeşitli zorlukları getiriyor.

Ayrıca Bkz.Samsung 3D DRAM teknolojisini tanıttı: Kapasiteler artıyor

Farklı bölümler, farklı üretim süreçleriyle üretilip birleştiriliyor

Şuanda Kioxia'nın en iyi 3D NAND bellekleri, 218 katmana ve 3,2 GT/s arayüze sahip 8. Nesil BiCS 3D NAND bellekleri. Bu nesilde, 3D NAND hücre dizisi plakaları ve I/O CMOS plakaları en uygun üretim teknolojisi kullanılarak ayrı ayrı üretilip, CBA (Diziye Doğrudan Bağlı CMOS) mimarisiyle birbirine bağlanıyor. Bu sayede yüksek bit yoğunluğu ve NAND I/O hızları elde edilebiliyor.

Üreticiler, bellek hücrelerini ve diğer devreleri ayrı ayrı üreterek, her bir bileşen için en verimli üretim süreçlerinden faydalanabiliyor. Bu da, ileride 1000 katmanlı 3D NAND yongalar için kullanılacak olan dizi istifleme gibi yöntemlere doğru ilerledikçe üreticilere avantaj sağlıyor.

Samsung'un da ayrıca üretim seviyesinde 1000 katmanlı 3D NAND belleklere ulaşmayı hedeflediğini belirtelim.