Samsung 850 EVO 250GB İncelemesi

Arkadaşlar merhaba.

Bugün Samsung'un dünya da bir ilk olarak 3D Nand yongaları kullandığı 850 serisinden 250GB kapasiteli EVO(MZ-75E250) modelini inceliyoruz.


Özet :

Bilindiği üzere 840 serisi ile oldukça iyi satış rakamları ve kullanıcı memnuniyeti elde eden Samsung, TLC Nand yongalarından esasında fazlasıyla verim almayı başardı. Sonrasında çalışmalarına ara vermeyen ARGE departmanı, hücrelerin 2 boyut yerine 3.boyuttada dizildiği V-Nand yani 3D Nand ' ı hazır hale getirdiler. Böylece daha az alan kaplayarak maliyeti de düşürmüş oldular. Samsung' un öngördüklerine göre de performansı ve kaliteyi de arttırmış oldular tabii. Özellikle Nand ların ömrü konusunda diğer SSD'lerle yarışan 70TB dolaylarında ömür biçilen 840 serisini 150TB ömür biçilerek 2ye katlamış 850 Serisi ve 3D V-Nand teknolojisi.


Şuan 850 Evo ve Pro modellerinde 3D Nand teknolojisi yer alıyor . Şimdi bir özellik tablosuyla 850 EVO ' yu daha iyi tanıyalım.





850 Pro modelinde sunulan 10 Sene garanti , Evo da 5 yılda kalmış fakat 5 yıl garanti de oldukça iddialı bir durum. Onun dışında en çok dikkat çeken özellik okuma yazma hızları ve tabiki yüksek İops değerleri. 250GB kapasiteyi de es geçmeyelim.





250GB - 500GB ve 1TB lık modellerin genel özellik tablosu ise bu şekilde.



Kutu ve İçeriği

---

Sade bir kutu tasarımı bulunan 850 Evo ' oldukça kaliteli duruyor. Kutu içeriğinden se SSD , Sürücü CD'si ve kullanma klavuzu çıkıyor.





Siyah mat yüzeyi ve ince yapısıyla hem notebook hem de masaüstü sistemler için uyumlu olan 850 Evo , ilk dokunuştan itibaren hafif olmasına rağmen kaliteli bir his bırakıyor.



3D V-Nand Nedir ?

---

3D NAND'ın Moore Kâidesi'nin fiiliyattaki geçerliliğinin devâmına nasıl yardımcı olduğunu anlayabilmek için evvelâ bu yeni mîmârinin temeline inmemiz gerekir. Lâkin, konunun detaylarına geçmeden önce şunu ifâde edelim ki burada 3D NAND çalışmaları yapan her üretici kendine has farklı temeller üzerinden gittiğinden biz de bugün incelememize misâfir olan Samsung markasının kendi 3D NAND dosyasını ele alacağız. Ki rakiblerinden sıyrılarak bu teknolojiyi tüketiciler ile ilk buluşturan firmanın Samsung olmasının da bu tercihimizde payı vardır.







Yukarıda görmekte olduğunuz tablo Samsung TCAT ( Terabit Cell Array Transistör ) tabanlı 3D NAND mîmârisinin 5 katmandan müteşekkil görselidir. Toplamda 10 hücre ihtivâ eden bu kordon tıpkı iki boyutlu NAND'larda olduğu gibi SLC, MLC ve TLC şeklinde yer verilen NAND tipine göre hücre başına 1, 2 veyâhut 3 bit saklayabilmektedir. Samsung'un hâlihazırdaki ikinci nesil V-NAND'ları 32 katmandan teşekkül ettiğini göz önünde bulundurursak esâsında bu grafiğin çok daha uzun olması gerekirdi. Fakat hak vereceğiniz üzere tabloyu daha okunabilir hâle getirmek için tabaka saysını beşte sınırlı tuttuk :)


Samsung V-NAND'ın temel farklılık arz ettiği bir noktadaki husûsiyeti dikkât çekici. O da şu ki, geleneksel 2D NAND'larda bitlere değer atayan gerilimin tutulduğu yer kayar nokta kapısıdır. Lâkin yukarıdaki grafikte de müşâhede ettiğiniz üzere V-NAND'larda böyle bir özellik, yâni floating gate bulunmamakta. Samsung'un kayar nokta kapısına alternatif olarak ele alıp geliştirme yoluna gittiği çözümün ismi Charge Trap Flash'tir. Esâsında bir yalıtkan olan bu madde silikon nitrid tabanlı bir izolâtördür.







Samsung'un V-NAND çalışmalarını başından beri tâkib eden okuyucularımız mizâhi öğeler de taşıyan yukarıdaki şu resmi hatırlayacaklardır. Mezkûr tabloda geleneksel 2D ile kendi 3D NAND'larını kıyaslayan firma V-NAND görselinin orta kısmına bir peynir ( bildiğimiz kahvaltılık kaşar peynir ) yerleştirmişti. Samsung'un o grafikteki peynir ile neyi kasteddiğini bugün daha iyi anlayabiliyoruz. Şöyle ki, geleneksel kayar nokta kapısının çalışma mantığı içi su dolu bir kovaya benzemektedir. Kovada herhangi bir delik olmadıkça su da sâbit kalacaktır. Fakat, kova üzerinde küçük dâhi olsa bir delik açıldığında içerideki su er ya da geç sızmaya başlayacaktır. Çevresindeki izolâtör maddede ( IPD - Inter Poly Dielektric ) bir delik teşekkül etmeye başladığı vakit floating gate'in su dolu kovadan bir farkı kalmamaktadır. Çünkü elektronlar serbest kaldıkları an hareketlenir ve kendileri de iletken bir yapı arz ettiklerinden böyle bir vaziyet altında kaçmaya başlarlar. İşte bu da evvelki sayfada bahsettiğimiz üzere yazma ve silme işlemleri ertesinde hâsıl olan stresin hücre izolâtörlerine yalıtkanlık özelliklerini zamanla kaybettirmeyle netîcelenmesidir ki bunun varacağı nokta NAND'ın evvelâ yıpranması, ardından da tamâmıyla tükenmesidir.



Samsung'un kullandığı Charge Trap Flash'de ise elektronlar husûsî bir yalıtkanın içerisinde ikâmet ettiğinden kaçma hâdisesi vâkî olmaz. Firmanın su dolu kova ile peyniri mukâyese etmesinni sebebi de burada yatmaktadır. Zamanla üzerinde delik açılsa dâhi peynir, hiçbir zaman su gibi alabildiğince akıp gitmeyecektir.


Charge Trap Flash'in fiiliyatta getirisi şüphesiz ki daha uzun NAND ömrüdür. Samsung'un belirttiğine göre programlama işlemleri için geleneksel floating gate'deki kadar ( takrîben 20V ) yüksek voltaja da ihtiyaç duyulmadığından izolâtörlerin üzerindeki stres azaltılabilmiştir. Peki V-NAND'lara bu rahatlığı sağlayan asıl unsur nedir dersek ? Cevab şöyle olacaktır ki, Charge Trap, kayar nokta kapısını çevreleyen izolâtörler gibi müstakil bir yapıya hâiz olmadığından tünel oksid ( âzamî 7mm ) ve ONO ( âzamî 12nm ) kadar küçülmesine de lüzum kalmamıştır. 2D NAND'larda programlama yapabilmek için 20V gibi yüksek voltaj kullanılmasının sebebi tünel oksid'in inceliğinden başkası değildir, ki aksi hâlde elektronların arzu edilen istikâmete hareketi mümkün olmamaktadır.


V-NAND'lardaki bir başka hoş husus ise high-K yalıtkanların kullanılmasıdır. Bildiğimiz kadarıyla diğer üreticilerin hepsi IPD üzerinde devâm ederken içlerinden birtek IMFT ( Intel Micron müşterek üretim ) 20nm ile birlikte bu materyâle geçiş yapmıştı. Kısaca değinecek olursak high-K, ismindeki K harfinden ( fizikte Bağıl Yalıtkanlık Sâbiti ) hareketle yüksek yalıtkanlık ifâde eden terime verilen isimdir. Sunduğu husûsiyet ise oxide-nitride-oxide gibi geleneksel yalıtkanlara kıyasla word ve bitline'lar arasında daha fazla sığa sağlayabilmesidir. Control gate ve floating gate ( V-NAND'daki şekli ile Charge Trap ) arasındaki sığa, tıpkı 2D NAND'larda olduğu gibi programlama için burada da kilit rol oynamaktadır. High-K yalıtkan kullanımı, dikey ölçeklendirmede katmanların birbirine istiflenmesi noktasında Samsung'a biraz daha boşluk payı bırakmakla kalmamış, high-K'nın temel karekteristiği olan normal yalıtkanlara nazâran daha az sızıntı sâyesinde de uzun NAND ömrüne imkân tanımıştır.





Tüm bunların hâricinde V-NAND'daki temel operasyonlar 2D NAND'dakiler ile pek benzerdir. Bir hücreyi programlamak için bitline 0V'de tutulurken wordline'a yüksek akım verilir. Bu da o sırada bitline içinde kaymakta olan elektronların silikon dioksid üzerinden Charge Trap, buradaki diğer ismi ile silikon nitrid'e gitmesini sağlar. Hemen yukarıdaki tabloda programlanın V-NAND'da nasıl gerçekleştiğini görebilirsiniz. Mor noktalar elektronları ifâde etmektedir.


V-NAND'da okuma işlemi ise 2D NAND'lardaki ile birebir aynıdır. Hedef hücrenin üzerinde bulunduğu wordline 0V'de tutulur ve ardından bitline'a farklı bir voltaj uygulanır. Doğru akım bulunduğu vakit hücre de gelen voltaja göre sense amplifier'ı ( sinyâl kuvvetlendirici ) harekete geçirerek aranan verîyi okur.




Test Sonuçları

---

Test Sistemi
Msi FM2-A75IA-E53
AMD A5700
Corsair VS450
Corsair Verngeance 4GB 1600Mhz
Thermaltake Core V1







































Son Söz :


Amd Apu sistemde kullanılan ve sonuç alınan Samsung 850 EVO , beklediğimden çok daha güzel ve stabil bir performans sunmayı başardı. İntel sistemlerde mutlaka üzerinde yazan değeri verecektir ki o değerlere AMD sistemle oldukça yaklaşmayı başardık. İşin en önemli kısımlarından olan fiyat bölümüyse aslında işin en tatlı taraflarından bir tanesi. İnceleme tarihinde 400TL sınırında temin edilebiliyor Samsung 850 EVO 250GB.

250GB bir SSD almayı düşünüyorsanız, tercihleriniz arasında ilk sıralarda olmasında fayda var.

Teşekkürler.



Satış Linki İçin Tıklayın !




---------------------------------

3D V-Nand açıklamasıhttp://www.ssdlabs.net/ sitesinden alınmıştır. Özverili çalışmalarından dolayı kendilerine teşekkürü borç bilirim.