Arkadaşlar yardımlarınızı bekliyorum! 1. şekilde gerilimi sınırlandırabiliyorken 2. şekilde 3055 yerine bir mosfet kullandığımda gerilimi neden sınırlandıramıyorum ?
n tipi yerine p tipi mosfet dene bi. ( okların yönünü şaşırmış olabilirim. arkadaş baskın yaptı)
n kanal mosfeti darlingtonbaglantı ile powertransistörle sürmek?.:Niçin???????????
Bu sefer hiç sınırlanmıyor Hiçdeğilse demin 48.7 di şimdi tam 50
Galiba bunun mosfetlerin yapılarıyla, özellikleriyle ilgili bir yanıtı var
quote:
Orjinalden alıntı: mmetin
n kanal mosfeti darlingtonbaglantı ile powertransistörle sürmek?.:Niçin???????????
Ya bakma sen o BD135 onu aradan kaldırsamda aynı şey. Maksat öğrenmek. voltajı sınırlandırmam gerekiyor yüksem akım verebilecek şekilde sadece aklıma geldi 3055 yerine mosfet kullansam ne olur diye sınırlanmadığını görünce meraklandım. Dediğim gibi maksat öğrenmek.
akım kaynagı olarak kullandığını atlamışım,akım kaynağı olarak kullanmak istersen mosfetin data bilgilerinden klasik fet akım kaynağı olarak kullanmak üzere gate-source arasına koyacagın (bu durumda draın birinci uç,source ikinci oluyor akımkaynağının)direnci istediğin akıma göre seçebilirsin.
mosfet normal bipolar transistör gibi çalışmaya pek uygun değildir.en iyi on-off çalışır.>smps<.lineer bölgede çok ısınır ve iyi soğutulması gerektiği için verimsizdir..
tüm MOSFET uygulamalarında gate sorunları var. 2 BJT transistörle gerçekleştirdiğin çalışan devrenin FET karşılığı yaptıkların değil. burda bilinmesi gereken olay BJT bir akım kontrollü akım kaynağıdır ve FET ise gerilim kontrollü bir akım kaynağıdır dolayısı ile BJT nin collector akımı Ic=B.Ib iken MOSFETin drain akımı Id=g.(Vgate-Viletim)^2 ile ifade edilir bilmem anlatabildim mi???
r2d2droids anladım Teşekkürler. Saygılar.
rica ederim. kolay gelsin, iyi çalışmalar...
yeni mesaja git
Yeni mesajları sizin için sürekli kontrol ediyoruz, bir mesaj yazılırsa otomatik yükleyeceğiz.Bir Daha Gösterme