AMD Ryzen Memory Tweaking ve Hızaşırtma Rehberi

mito1172 · 2019-04-19T18:03:27.0000000+03:00

overclock.net de tanıdığım 1usmus,nickli üyenin AMD RYZEN RAM makalesini paylaşmak istedim güzel faydalı bilgiler var çeviri Google den yanlışlık olursa suç bende değil yabancı dilim yok çünkü orijinal makale link TIKLA Giriş Güncelleme Tarihi:4 Nisan 2019: “Bellek Zamanlamaları Arasındaki İlişkiler” sayfasını tamamen yeniden yazdı ve basitleştirdi. Son iki yılda, AMD Ryzen ile iki kuşak yüksek performanslı işlemciyi tanıttı. Tamamen yeni bir mimariye dayanan ve büyük potansiyeli olan mükemmel bir yapıya sahip olan İnternet, bu ürünler söz konusu olduğunda, bir kısmı markanın hatalı olduğu, bazıları ise uygulanan teknolojinin etkinliği ve etkinliği ile ilgili korku ve yanlış bilgi ile doludur. performans potansiyeli. Bu yanlış anlaşılmalar, ilk nesil Ryzen işlemcilerin piyasaya sürülmesiyle karşılaşılan ürünlerin eleştirisine dayanıyor. Benim adım Yuri Bubly (@ 1usmus). Ben Ryzen için DRAM Hesap Makinesinin geliştiricisiyim sayısız BIOS modunun yazarı ve bu işlemcilerle ilgili ve bunlarla ilgili onlarca konunun küratörü. İki yıllık araştırma ve geliştirmeden sonra, Ryzen destekli bir sistemde hafızayı optimize etme konusundaki sırlarımı paylaşmaya hazırım. Optimizasyon ile, özellikle sistem RAM 'inde overclock ve ayarlama yapmaktan, yani bozulmayacak şekilde çalışmaktan bahsediyorum. Muhtemelen AMD Ryzen sistemlerinde bellek overclock işleminin karmaşıklığı konusundaki "AMD - Intel" CPU seçiminizi değiştirdiniz. Size düşündüğünüzden daha kolay olduğunu veya inanmaya yönlendirildiğini söylemek için buradayım. Bu kılavuzun amacı, bellek satın alırken nelere dikkat etmeniz gerektiğini ve yaygın hatalardan kaçınarak sisteminizi nasıl hızlı ve doğru şekilde ayarlayacağınızı ve RAM'i gereğinden fazla hızlandırarak hangi sonuçların elde edilebileceğini göstermektir. Bazıları bellek overclock işlemi ile ne gibi faydalar elde edebileceğini sorabilir. Pekala, yeni başlayanlar için araştırmam, oyunlarda varsayılan değerlerin üzerinde% + 50 FPS kazancı olduğunu gösteriyor. Cazip geliyor, değil mi? Görüyorsunuz, Ryzen işlemciler bellek işlemcili hızlara Intel işlemcilerden daha hassastır. Ryzen işlemcileri Infinity Fabric saat hızını bellek saatiyle doğrusal olarak ölçeklendirmek için senkronize eder. Infinity Kumaş, iki CCX (Zen hesaplama kompleksi) arasındaki tüm önemli bağlantıyı da içeren bir "Zen" işlemci silikonundaki tüm bileşenler için birincil ara bağlantı olduğu için önemlidir. Kapsanacak çok sayıda değişken ve nüanstan dolayı, materyal iki bölüme ayrılacaktır: (1) teori, bellek ayarları ve test ile ilgili tüm detayların bir tanımını içerir ve (2) Optimize edilmiş sonuçların oyunlar üzerindeki etkisini gösterir. Terimler Sözlüğü Aşağıda, Ryzen ile çalışan bir makinenin hafızasını overclock ile ilgili teknik terimlerin bir listesi bulunmaktadır. Ryzen endüstri standardı DDR4 bellek mimarisini kullanıyor, bu nedenle bu terimlerin bazılarına aşina olabilirsiniz. Diğer bazı terimler yeni ve "Zen" mimarisine özgüdür. SOC voltajı - çip voltajında sistem; bellek denetleyicisiyle ilgili voltajdan sorumludur. Sınır: 1,2 V'a kadar DRAM başlangıç voltajı - sistem başlangıcında hafıza eğitiminin gerçekleştiği voltaj. Sınır: 1.45–1.50 V'a kadar VDDP voltajı - hafıza içeriğini belirleyen transistörün voltajı. Sınır: 1,1 V. CLDO VDDP voltajı - SoC'deki DDR4 PHY için voltaj. DDR4 PHY veya fiziksel katman arabirimi, bilgileri bellek denetleyicilerinden DDR4 bellek modüllerinin anlayabileceği bir formata dönüştürür. Biraz tersine vararak, VDDP'yi düşürmek, CLDO_VDDP'yi yükseltmekten ziyade istikrar için daha faydalı olabilir. Gelişmiş overclockçuların ayrıca CLDO VDDP'yi değiştirmenin bellek deliklerini hareket ettirebileceğini veya çözebileceğini bilmesi gerekir. VDDP'de yapılan küçük değişikliklerin büyük bir etkisi olabilir ve VDDP, VDIMM - 0,1 V'den büyük bir değere ayarlanamaz (1,05 V'u geçmemelidir). Bu voltajı değiştirirseniz soğuk bir yeniden başlatma gerekir. Sınır: 1,0 V'a kadar VPP (VPPM) voltajı - bir DRAM sırasına ne kadar güvenilir bir şekilde erişileceğini belirleyen voltaj. Sınır: 2,7 V'a kadar Vref voltajı - hafıza referans voltajı; Hem CPU hem de bellek modülünü "0" veya "1" sayılacak olanları ayıran voltaj seviyesine göre "yapılandırın"; yani, MEMVREF'in altındaki bellek veriyolunda bulunan voltajlar "0" olarak kabul edilir ve bu seviyenin üzerindeki voltajlar "1" olarak kabul edilir. Varsayılan olarak, bu voltaj seviyesi VDDIO'nun yarısıdır (aka 0.500x). Bazı anakartlar kullanıcının bu oranı değiştirmesine izin verir, genellikle iki seçenekle: (1) "DRAM Ctrl Ref Voltage" (bellek veriyolundan kontrol hatları için; JEDEC'in bu voltaj için resmi adı VREFCA'dır) ve (2) "DRAM Ctrl Data Ref Voltage "(bellek veriyolundan gelen veri hatları için; JEDEC'in resmi adı" VREFDQ "). Bu seçenekler çarpan olarak yapılandırılmıştır. VTT DDR voltajı - yüksek hıza ulaşmak ve sinyal bütünlüğünü korumak için veri yolu empedansını kontrol etmek için kullanılan voltaj. Bu direnç paralel sonlandırma ile yapılır. PLL (1P8) voltajı - Bu seçenek CPU'yu yüksek BCLK'lerde dengelemek için kullanılabilir. Sınır: 1,9 V'a kadar CAD_BUS - Komut ve Adres veriyolu; hafızayı yüksek hızlarda çalıştırabilenler (> = 3466MHz), ancak sinyalleme sorunları nedeniyle dengeleyememiş olanlar için. "Komut ve Adres" ile ilgili sürücü akımlarını azaltmayı denemenizi öneririm (direnci arttırın). Sınır: Yok. CAD_BUS zamanlamaları - alıcı-verici gecikmesi. Değerler bir bit maskesi belirler. Sınır: Yok. procODT - tamamlanmış bir bellek sinyalinin nasıl sonlandırıldığını belirleyen ohm cinsinden direnç değeri. Daha yüksek değerler daha yüksek veri hızlarının dengelenmesine yardımcı olabilir. Sınır: Yok. RTT (Sinyal Bütünlüğü Optimizasyonları) - DDR4 arayüzünde birden fazla DRAM sırasının kullanılması, bireysel sıralar için kalıp içi sonlandırma direncinin seçilmesi için ek seçenekler gerektirir. DDR4 DRAM, çeşitli sonlandırma direnci değerleri sunar. Arayüze sunulan spesifik DQ pin alıcı direnci, dinamik kalıp sonlandırma etkinse, ilk yonga konfigürasyonunun ve DRAM çalışma komutunun bir kombinasyonu ile seçilir. Sınır: Yok. Redüktör Modu - DRAM cihazının komuta veya adres otobüslerine mandallamak için dahili olarak oluşturulmuş clock saat saatini çalıştırmasına izin verir. AÇIK, DDR4-2667'den büyük hızlar için varsayılandır. Bununla birlikte, AÇMA ve KAPATMA avantajı, bellek kitinden bellek kitine kadar değişecektir. Redüktör Modunu Etkinleştirmek, mevcut komut hızınızı geçersiz kılar. Güç Tutma Modu - bir süre kullanılmadığında DRAM'i sakin bir duruma getirerek sistem gücünü daha yüksek DRAM gecikmesi pahasına saklayabilirsiniz. Teori: Infinity Fabric ve RAM Tipleri Daha önce de belirttiğimiz gibi, Infinity Fabric, CPU hesaplama kompleksleri (4 CPU çekirdeğine kadar olan gruplar dahil) dahil olmak üzere "Zen" işlemcileri üzerindeki çeşitli kalıp bileşenlerini bağlamak için kullanılan çok önemli bir ara bağlantı AMD'sidir. Infinity Fabric'in kendi saat alanı vardır, ancak bu saat bellek saati hızıyla senkronize edilir. Yapısal olarak, Infinity Fabric 256-bit çift yönlü bir veri yolu. Onun yardımıyla, altı çekirdekli ve sekiz çekirdekli Ryzen işlemcili modellerde, iki dört çekirdekli kompleks (CCX), kök PCIe kompleksi ve güney köprüsü de dahil olmak üzere diğer bloklarla veri alışverişinde bulunuyor. Infinity Fabric'in frekansı, sistemin RAM frekansına uyacak şekilde tasarlanmıştır. Örneğin, bellek denetleyicisi DDR4-2133'te çalışıyorsa, anahtarın matrisi 1066 MHz'lik bir frekansta senkronize olur (geri çağırma, etkin frekans bellek tanımlamasında belirtilir). Bu, daha hızlı belleğin dahili Infinity Fabric bağlantısının bant genişliğini arttırmanıza izin verdiği anlamına gelir. Bu teknoloji, çok çekirdekli işlemciler yaratırken büyük olasılıklar sunar. Ayrıca, bu veri yolunun daha yeni bir versiyonunun AM4 paketinde üçe kadar kalıptan oluşan iki çipli modüller olan Zen 2 işlemcilerinde uygulanacağını da belirtmek istiyorum - iki CPU ölçeğine ve bir G / Ç kontrol cihazı kalıbına. Resme baktığımızda, bu durumda tıkanıklığın RAM olduğunu görebilirsiniz. Daha hızlı veri erişimi için yüksek frekansa ve düşük gecikmeye ihtiyacımız var. Hafıza Türleri Geçtiğimiz on yıl boyunca, Intel, insanların kafalarında RAM'in dekoratif bir bileşen olduğu fikrini dile getirdi. Bazen serin görünmesi için dekoratif LED aydınlatmaya veya şık soğutuculara sahiptir. RAM'in stil hakkında daha fazla olduğu genel fikrine, insanlar gerçek önemini düşünmeyi bıraktılar. Şu anda RAM pazarında bizi ilgilendiren çok sayıda seçenek var ve tonlarca özelliği rakiplerinden ayırmaya çalışıyor. Bu özelliklerden bazıları harika, ancak bazı kullanıcılar için tamamen yararsız olabilir. Kişi onlar için en iyisini seçer? Hızaşırtma için en iyi bellekten biri - muhtemelen testlerime göre en iyisi - Samsung b-die (20 nm) RAM, genellikle kayıt sıklığı ve gecikme süresiyle birlikte geliyor. Burada önemli bir noktaya değinmek istiyorum; aradığınız performansı elde etmek için etkileyici görünümlü yüksek 4200+ MHz frekanslı pahalı bir kit almak zorunda değilsiniz. Çoğu durumda, böyle bir kitin overclock edilmesi, 14'lük bir CAS gecikmesine ("CL") sahip 3000 MHz kit ile karşılaştırılabilir. Elbette, silikon piyango her zaman bir faktördür ve 3000 MHz olduğu ortaya çıkabilir. CL14'deki kit, kararlı çalışmayan 3600 MHz kitin üzerinde performans gösterebilir. Bunu daha sonra bu makalede inceleyeceğim hafızanın bir kısmı ile göstereceğim. İnceleme listesinde ilk olarak G.Skill Sniper X 3400C16. Bu, en azından hız aşırtma işleminden sonra elde edilen sonuçların aksine, olağanüstü stok ayarları ve zamanlamaları olan tek kademeli bir DIMM'dir. Yukarıdaki ekran görüntüsü, overclock hafızasının harcanan zamana değdiğini göstermektedir. CL14'te 3667 MHz hıza ulaştım. Diğer testlerde de CL14'te bu değerli modüllerden MHz'ye ulaşmayı başardım, ancak 1,51 V'lık yüksek bir voltaj kullanmadan da değil. 1.51 V, bence bozulma olasılığı olduğu için günlük kullanım için uygun değil. bellek modüllerinin erken ölümü. Bir sonraki tavsiye listemde SK-Hynix CJR yongalarına (18 nm) dayanan modüller bulunuyor. Bunu göstermek için bir takım G.Skill Sniper X 3600 C19 modüllerini kullandım. Bu bellek kiti Samsung b-die tabanlı Sniper X 3400 belleğin neredeyse yarısı kadar ve "AMD Ryzen uyumlu" etiketi bulunmuyor. Flare X gibi, Sniper X serisinin pano üzerinde "Ryzen-dostu" olduğunu düşünerek, pek çok bilgisiz Ryzen alıcısı bu kit için kullanılabiliyordu. Bu kitle CL16'da 3933 MHz'e ulaşabildim, bu da frekans ve verime ilişkin bulgularımdaki mutlak frekans kaydı. Yine de bu hız için bir CAS gecikmesi takas etmek zorunda kaldım. Ve bu sınır değil! 4000 CL16'ya kadar yükseltmek gerçekçidir. Bu nedenle, hesap makinemin en son sürümü SK-Hynix CJR bellek modülleriyle birlikte bellek kitleri için 3867 MHz'e kadar ön ayarlara sahiptir. Bu yıl ayrıca yeni Micron H / E-die (16 nm) bellek modüllerinin piyasaya çıktığını görmüştüm. Ne yazık ki, henüz ellerimi bu çiplerin üzerine getiremedim. Meslektaşlarım tarafından yapılan bazı ön testlere göre, bellek benzer şekilde overclock işleminde de iyidir, bu bellek modülleriyle birlikte ele alınmaya değer. Peki ya çift aşamalı DIMM'ler? Buna karşılık, overclock yapan çift aşamalı RAM konfigürasyonlarının sonuçları şu anda oldukça üzücü. Bellek denetleyicisi şu anda dört sırada işlem yapmakta zorlanıyor. Samsung b-die bellek modülleriyle 3400 MHz CL14 ve Hynix CJR bellek modülleriyle 3600 MHz CL16'ları elde ettim. Testlerime dayanarak, dört aşamayı kullanmanın tek yolu, oyunlardaki sistem performansını artıran aşamalı teknoloji nedeniyle etkileyici kapasite artışı ve değişimdir. AMD'nin belgelerine göre, 3600 MHz CL16, iki çift aşamalı modül kullanırken Ryzen işlemcilerin 2400 MHz ile sınırlı olduğunu belirtti. Şimdiye kadar, çift aşamalı olmak, bellek üreticilerinin 16 GB'lik müşteri segmenti (32 GB çift kanallı kitler oluştururken) müşteri segmenti üretebilmelerinin tek yoluydu. Gerçekten 16 GB’lık RAM’e ihtiyaç duyuyorsanız, overclock beklentilerinizi uygun şekilde düzeltmelisiniz. Teori: Anakart Türleri Şu anda, farklı form faktörleri ve çeşitli gizli özelliklerle, seçilebilecek farklı yonga setleri ile birçok anakart var. Yine de, Ryzen sistemlerinde bellek overclock işleminde temel bir özellik DIMM topolojisi ve bellek yuvası sayısıdır. Dual-Slot En hızlı RAM frekansları için, ASUS ROG STRIX B450-I Gaming gibi bir çift yuvalı anakart istenebilir. İki ek bellek yuvası olmaması nedeniyle, hattaki sinyallerin ve yansımaların kalitesi ciddi şekilde artmıştır. Bu, kapasiteyi sınırlar ve tavan boşluğunu yükseltir. Daisy Chain Sonra da Daisy Chain topolojisini uygulayan Anakartlar geliyor. Avantajları, işlemci ve A2 ve B2 bellek yuvaları arasındaki hattın (bus) optimize edilmiş uzunluğu ile yatmaktadır. Bunu gerçekleştiren kartlara örnek olarak ASUS ROG Crosshair VII, ASUS Prime X470-Pro ve MSI X470 Gaming M7 AC verilebilir. T Topoloji Bu pano listesini bitirmek için, T-topolojisine sahip olanlar (yani, ASUS ROG Crosshair VI ve ASRock X470 Taichi) vardır. Bu kartlar, bellek ile vasat olarak overclock eder - 3466–3533 MHz'e kadar. Böyle bir Anakartın temel avantajı, dört modül konfigürasyonunun yüksek overclock potansiyelidir. Teori: RAM / SOC Ayarlama Sırası En önemli ve en temel adım, sistemi istenen sıklıkta çalıştırabilmektir. Bunu yapmak için, BIOS'taki belirli ayarları elle ayarlamamız gerekir: XMP bellek profili (bazı ana kart üreticileri bunu farklı adlandırır, ancak işlev değişmez) RAM için frekans (bu kullanıcının istenen frekansı anlamına gelir) BCLK frekansı (eğer anakart BIOS'ta böyle bir ayarı destekliyorsa) Zamanlamalar (hesap makinesi tarafından önerildiği şekilde) SOC ve DRAM için voltaj (hesap makinesi tarafından önerildiği şekilde) ProcODT + RTT değerleri (NOM, WR ve PARK). Daha fazla ayrıntı için, Ryzen'in DRAM Hesaplayıcı eğitim videosunu burada bulabilirsiniz . Başlamak için, sistemde minimum hata sayısına kadar önerilen ve alternatif değerleri deneyerek, procODT + RTT (NOM, WR ve PARK) için hesap makinesinden parametreleri girin. Bunun için, temel ön ayarlı TM5 0.12 test paketini kullanın. Bu elbette ortaya çıkabilecek tüm hatalardan kurtulmaz. Bunu yapmak için bir sonraki adıma geçmemiz gerekecek. Daha sonra, DRAM ve SOC için optimum voltajı bulun ve bu da sistemin sahip olduğu hata sayısını daha da azaltacaktır. İlk önce, SOC için daha sonra DRAM için gerilimi seçin (hesap makinesi size her biri için uygun aralığı söyleyecektir). Bazen, bir dijital multimetre veya voltaj izleme yazılımı, BIOS'ta ayarlanan değerin teslim edilen gerçek miktar olup olmadığını belirlemede yardımcı olabilir. Bunların eşleşmemesinin sebepleri bu belgenin kapsamı dışındadır. Ancak, bir etkiye sahip olabileceğinden, hangi değerlerin ayarlandığına bakılmaksızın kararlılık sağlanamadığı takdirde voltajı HWInfo gibi bir programla doğrulamak akıllıca olabilir. Hataları kontrol etmek için, temel ön ayarlı TM5 0.12 test paketini kullanın. Kasaların yarısında, bu aşamada tamamen kararlı bir sistem elde edebilirsiniz. TM5 0.12 test paketi hata bulamazsa, kararlılığı kontrol etmek için test programlarının aralığını artırın. Bunlar Linx, HCI, Karhu ve diğer programları içerebilir. Bu programlardan hiçbiri bir hata bulamazsa, bir sonraki adıma geçin - hata ayıklama. Aşağıdaki şekilde belirtildiği gibi, hata ayıklama belirli zamanlamaları değiştirmek için temel amacıdır. Her zamanlama ayarının sistemin dengesini nasıl etkilediğini kontrol etmelisiniz. Aynı anda belirtilen tüm zamanlamaların değiştirilmesini önermiyorum. Sabır bu aşamada anahtardır. Bir seferde bir değişken yapın. Test edilen zamanlama durumu iyileştirmezse, önceki değerine sıfırlayın ve listedeki bir sonraki zamanlamayı kontrol edin. Başka bir öneri ve bu noktanın ötesindeki tüm ek adımlar, overclock işlemine aşina olan daha deneyimli kullanıcılar içindir (genellikle, bir aydan fazla deneyim). Öncelikle bu adımları, bu görüntülerin üzerinde belirtilen birincil parametreye sahip akış şemaları olarak sunacağım. CAD_BUS’in Ayarlanması Ek Gerilim Ayarı Her diyagram, her aşamada denenecek bir dizi parametreyi listeler. Bu diyagramları, önce kontrol edilen dengeyi geliştirebilecek yüksek öncelikli ayarlara sahip olacak şekilde yarattım. Elbette, ayarların bu noktada sisteminizin dengelenmesine yardımcı olabileceği açık kurallar ve yasalar olmadığından farklı bir rotada ilerleyebilirsiniz. Zamanlamalar: Sınırlar ve Yararları Son zamanlarda, hafızanın optimizasyonunun bazı insanlar için fanatik bir hobi haline geldiğini, sonuçları kendileri ve diğer kullanıcıları memnun edecek şekilde fark ettim. Aslında, sistemi ekstra düşük zamanlamalarda çalıştırmak maksimum performansı garanti etmez. Araştırmamın sonuçlarına göre, bu durumdan uzak; bazen düşük zamanlamalar bile “donma” nın arkasındaki sebep olabilir. Zamanlamaların oyun performansı üzerindeki etkilerini, farklı seviyelere sahip bellek kullanarak kapsamlı bir şekilde test ettim (SR 3466 ve DR 3200). İşlemci, overclock 4.2 GHz'e ayarlandı. Bu testler için işlemciyi overclock etmenin temel nedeni, hafızayı tüm sistem için bir darboğaza dönüştürmektir. Her iki durumda da, XMP ön ayarını her zamanlamayı elle ayarlayarak elde edilen sonuçlarla karşılaştırdım. Değiştim zamanlama kalın yapıldı. Alternatif ayar için zamanlamaların önceliği kendi takdirime göre, en önemlilerinden daha az önemli olanlara kadar seçilir. Fark edebileceğiniz gibi, tWTRS gibi bazı zamanlamaları hafife almak sistem performansını olumsuz etkileyebilir. Ayrıca, "eXtreme" olarak adlandırılan XMP profilinin aşırı olmadığı sonucuna varılabilir. Ortalama olarak, XMP profil ayarlama, ortalama% 14 FPS kazanmanızı sağlar. Ayrıca, XMP profilinin başka bir eksi çoğu durumda sistemin kararlılığıdır. Hesap makinesinin önerilerine odaklanın ve maksimum oyun performansı için en uygun zamanlamayı seçme konusunda hiçbir sıkıntınız olmamalıdır. Bellek Zamanlamaları Arasındaki İlişkiler DRAM erişim gecikmesi, günümüzde sistem performansı için kritik bir tıkanıklık haline gelmiştir, çünkü modern bilgisayarlar öncelikle DRAM belleği kullanır. Üretim süreci teknolojisi ölçeklendirmesi nedeniyle DRAM kapasitesi artarken, erişim gecikmesi on yıllardır önemli ölçüde azalmamıştır. Artan çekirdek sayımlarının birleşiminden dolayı, modern uygulamalar giderek daha fazla veri yoğunluğa sahiptir ve artan bellek bant genişliği ve DRAM erişimindeki gecikme gibi doğal kısıtlamalar, genel sistem performansını artırmada büyük bir engel haline gelmektedir. Temel DRAM İşlemleri DRAM’deki verilere erişirken yapılması gereken beş temel işlem vardır. Etkinleştirme, bir bankadaki DRAM satırlarından birini açar ve açılan satırdaki verileri satır arabelleğine kopyalar. Restorasyon, aktivasyon sırasında DRAM sırasındaki her bir hücreden boşaltılan yükün, veri kaybını önlemek için tam seviyesine geri yüklenmesini sağlar. Aktif bir satırın verisi satır tamponuna kopyalandıktan sonra okuma ve yazma yapılabilir. Ön şarj işlemi, bellek denetleyicisi işlem yapıldığında veriyi satır tampon belleğinden salıverir ve aktive edilmiş satıra okuma ve yazma işlemi yapar ve bankayı farklı bir sırayı etkinleştirmek için hazırlar. Bunların dışında, DRAM erişim gecikmesi çoğunlukla üç işlemin gecikmesinden oluşur: aktivasyon, restorasyon ve ön şarj. Yukarıdaki resim tek bir önbellek veri satırına bir okuma (üst) veya yazma (alt) gerçekleştirmek için verilen komutların zaman çizelgesini gösterir. Bellek denetleyicisi dört komut verir: (1) ACT (etkinleştir), (2) READ veya (3) WRITE ve (4) PRE (ön şarj). Geri yükleme işleminin açık bir komutu olmadığını ve bunun yerine bir ACT komutundan sonra otomatik olarak tetiklendiğini unutmayın. Her işlemde harcanan zaman, DRAM satıcıları tarafından belirlenen bir zamanlama parametreleri tarafından belirlenir. Her komut satır ayrıntı düzeyinde çalışırken, sadelik için DRAM işlemlerinin tek bir DRAM hücresini nasıl etkilediğini açıklıyoruz. İlk ön şarjlı durumda (1), bit hattı VDD / 2 voltaj seviyesinde tutulur, burada VDD tam DRAM besleme voltajıdır. Sözcük satırı 0 V'dir ve bu nedenle bit çizgisi kondansatörden ayrılmıştır. Bellek denetleyicisi bir ACT komutu (2) verdikten sonra, kelime satırı Vh'ye yükseltilir, böylece DRAM hücre kapasitörünü bit çizgisine bağlanır. Bu örnekte olduğu gibi, kapasitörün gerilimi bit çizgisinden daha yüksektir, yük bit çizgisine akar ve gerilim seviyesini VDD / 2 + δ seviyesine yükseltir. Bu sürece ücret paylaşımı denir. Sens amplifikatörü daha sonra bit çizgisindeki sapmayı ölçer ve bu sapmayı uygun şekilde yükseltir (3). Sens amplifikasyon olarak adlandırılan bu faz, bitline ve hücrenin voltaj seviyesini sonunda hücrenin orijinal voltaj durumuna geri döndürür (bu örnekte VDD). Sensör amplifikatörü bit çizgisindeki verileri yeterince yükselttikten hemen sonra (örn. Voltaj seviyesi 3VDD / 4'e ulaşır), bellek kontrolörü hücrenin verisine satır tamponunda erişmek için bir READ veya WRITE komutu verebilir. ACT komutundan sonra bu duruma (3) ulaşmak için geçen süre, ilk resimde gösterildiği gibi, tRCD zamanlama parametresi ile belirlenir. READ veya WRITE komutu verildikten sonra, duyu yükseltme fazı bit çizgisinin ve hücrenin voltaj seviyesi VDD'ye ulaşana kadar bit çizgisindeki (4) gerilimi sürmeye devam eder. Başka bir deyişle, hücrenin orijinal şarj seviyesi tamamen bir READ için orijinal değerine getirilir veya bir WRITE için yeni değere doğru şekilde güncellenir. DRAM okuma istekleri için, ACT'den sonra tamamen geri yüklenecek hücrenin gecikmesi, tRAS zamanlama parametresi tarafından belirlenir. DRAM yazma istekleri için, hücrenin tamamen güncellenmesi için geçen süre tWR tarafından belirlenir. Restorasyondan sonra, alt diziyi daha sonra farklı bir satıra erişime hazırlamak için PRE komutunu kullanarak bit çizgisi önceden yüklenebilir. Bu işlem, wordline üzerindeki voltajı düşürerek hücreyi bit çizgisinden ayırır. Daha sonra bit çizgisinin voltajını VDD / 2'ye sıfırlar. Ön dolum işlemini tamamlama süresi tRP zamanlama parametresi ile belirlenir. TRCD ve tRAS zamanlamaları veri sayfalarında olduğundan önemli ölçüde düşük olabilir. Nasıl? Geleneksel DRAM yongaları, ilk resimde gösterilen zamanlama parametrelerinin değeri ile belirlenen sabit bir gecikme kullanarak aktivasyon ve restorasyon işlemlerini gerçekleştirir. Bununla birlikte, bir hücrenin mevcut şarj seviyesinden yararlanılarak aktivasyon ve restorasyon gecikmelerinin azaltılabileceği yollar vardır. Bir hücrenin yüksek şarj seviyesi varsa, aktivasyon sırasında bit çizgisindeki karşılık gelen voltaj bozulma süreci daha hızlıdır ve sonuç olarak, duyu yükselticisinin ikinci resimde 3. ve 4. durumlara ulaşması için daha az zamana ihtiyacı vardır. "ChargeCache", yüksek oranda şarj olmuş bir hücrenin tRCD ve tRAS zamanlama parametrelerini güvenli bir şekilde azaltmak için bu görüşü kullanan son teknoloji bir mekanizmadır. ChargeCache, yakın zamanda erişilen satırların izini tutar, hücrelerin yüksek şarj seviyesine sahip olduğu anlamına gelir, çünkü hücreler en son tam şarj seviyesine getirildiğinden beri kısa bir süre geçmiştir. Bu nedenle, kısa süre önce erişilen bir satır kısa bir süre içinde tekrar etkinleştirilirse (örneğin, 1 ms), ChargeCache, genel DRAM erişim gecikmesini azaltan satır için daha düşük tRCD ve tRAS değerlerini kullanır. Restorasyon gecikmesini azaltmak için benzer bir yaklaşım uygulanabilir. Geleneksel bir DRAM yongasında, her ACT komutu, aktif sırada bulunan hücrelerin şarj seviyesini tamamen geri getiren bir restorasyon işlemini tetikler. Benzer şekilde, her yenileme işlemi sabit bir zaman aralığında bir hücrenin şarj seviyesini tamamen geri yükler (DDRx DRAM'de her 64 ms'de bir). Hücrenin bir sonraki tazelemesine kadar, doğru verileri elde etmek için yeterince hücrenin şarj seviyesini kısmen geri yükleyen Kısaltma Geri Yükleme mekanizması da vardır. Bu mekanizma için kontrollerden biri tWR ve tRAS zamanlamalarıdır. Makalemde yayınlanan bazı hazır ayarlar bu mekanizmaları kullanır, bu nedenle İnternette bulabileceğiniz tipik formülleri unutmanızı tavsiye ederim. Sonuçlar Bir DRAM hücresi bir kapasitörden yapıldığından, hücre erişilmese bile şarjı kaçak yapar. Veri kaybını önlemek için DRAM, tüm hücrelere periyodik yenileme işlemleri yapmak zorundadır. Yenileme işlemi, hücrenin şarj düzeyini tam değerine geri getirir. Modern bellek yongaları, Kesimi Geri Yükle mekanizması ve ChargeCache sayesinde daha agresif zaman aralıkları belirlemenizi sağlar. SDRAM yongaları, üçüncü ve dördüncü işlemleri paralel olarak gerçekleştirmenizi sağlar. Kesin olarak, PRECHARGE hat şarj etme komutu, istenen paketin son veri elemanının verildiği andan önce, iletilen paketin "kırılmış" durumunun ortaya çıkmasından korkmadan, belirli sayıda keneler için gönderilebilir. (PRECHARGE komutu READ komutları x'den küçük bir zaman periyodu ile gönderildiyse sonrakiler gerçekleşir). Hücrelerdeki veri kaybını önlemek için, DRAM voltajını artırabilir veya ön dolum ve tazelemeden sorumlu geçici özellikleri değiştirebilirsiniz. TRP ve tRFC'nin ayarlanması en büyük etkiye sahip olacaktır, tWR ve tRTP de yardımcı olabilir. TWR değerini 12'nin üstüne çıkarmanızı tavsiye etmiyorum. tRC> = tRAS + tRP. Çoğu durumda bu, optimum formül olmalıdır. tRAS = tRCD + tCL. Bu zamanlama için net bir tanımım yok, tRCD + tCL'ye eşit olabilir, ancak yukarıda listelenen mekanizmalar nedeniyle önemli ölçüde düşüktür. Ayrıca, sınırları her şey farklı hücre özelliklerine sahip olduğundan, sınırları tamamen deneysel yollarla belirlenmiş olan marjı unutmayın. Yüksek frekanslar için, ilk resimdeki formülü kullanıyorum. tRAS = tRCD + tBL + tWR (ayarlı, 12 veya 10). DDR4 için = tBL = 4 veya 2. Teori: procODT, RTT ve CAD_BUS "ProcODT" ve "RTT" gibi önemli terimlere özel bir dikkat çekmek, neleri etkilediklerini, onları nasıl ayarlayabileceklerini ve bize neler söyleyebileceklerini açıklamak istiyorum. Daha önce de belirttiğim gibi, ilk nesil Zen işlemciler piyasaya sürüldüğünde kullanıcılar çok sayıda sorunla karşı karşıya kaldılar. İncelemelerde panik vardı ve forumlarda çok az gerçek uzman vardı. Tam anlamıyla bellek overclock edilemedi. Bir süre sonra, saygın "Tepki" nin ilk ön ayarları ortaya çıktı, AMD topluluğu için bir mucizeydiler, ancak yine de sırlar ve bağımlılıklar açıklanmadı. Ve bugün belgelerdeki en büyük boşluğu ve kılavuzları son iki yıldır kapatacağım. Forumlarda karşılaşılan en sık rastlanan Ryzen bellek sorularından biri de "bellek overclock işleminin neye bağlı olduğu?" Bizim durumumuzda, overclock işleminin başarısı üç bileşene bağlıdır: anakart, IMC (bellek kontrolörü) ve belleğin kendisi. Anakart Seçenekleri 3xx yonga setine dayanan tüm kartların bir T-topolojisi vardır ve maksimum bellek saati çoğu zaman 3466 MHz ile sınırlıdır, ancak CAD ile karışmaz. CAD'yi yapılandırmayı başarırsak, 3600 MHz alabiliriz. Hızaşırtmanın neden bu kadar düşük bir frekansla sınırlı olduğunu anlamak için anakartın PCB'sine bakmalıyız. PCB üzerindeki her sinyal izi bir iletkendir, bir sinyal çizgisidir. Ve her iz diğer izleri olumsuz yönde etkileyebilir. Bunun üzerine parazitik bağlantıların olasılığı (parazitik endüktans ve yüksek frekanslı girişim). Negatif bağlantılarla mücadele etmek için her ana kart tasarımcısının tüm sinyal izlerini doğru bir şekilde tasarlaması gerekir. Yukarıda gösterilen, düz çizginin yerine, sinyal çizgisinin özelliklerini önemli ölçüde değiştirebilen bir "eğri" ekleyen bir tasarım değişikliğidir. Ayrıca, form faktörü, PCB katmanlarının sayısı ve iletkenlerin bileşimi, ana kartın kalitesini etkiler. Levhalar için daha pahalı bir ürüne genellikle tasarım süresi verilir ve genellikle daha kaliteli temel bileşenler kullanır. Yüksek kaliteli bir anakart nasıl tanınır? procODT. Ve çalışma süreci ne kadar düşük olursa, bu anakartta elde edebileceğiniz sonuçlar o kadar iyi olur. Özellikle daha iyi bir anlayış için, size farklılıkları gösterebilecek birkaç tablo hazırladım. Sonuç olarak, anakartlar arasındaki devasa farkı görüyoruz. Bunu kullanıcıların ana sorunlarından biri olarak görüyorum. Ve onların seçiminde anakartların hakemlerinin suçlu olduğunu düşünüyorum. Son iki yılda, anakartın topolojisinin ve kabiliyetlerinin incelendiği YouTube'da incelemeler görmedim. Kutuya, içeriğine, RGB modlarına, VRM soğutmanın nasıl göründüğüne veya ne güzel bir saç modeli / tişörtün ne olduğuna bakarlar. VRM özellikleri hakkında gerçek hesaplamalar bulacağınız hiçbir inceleme yok. Bunun yerine, sadece veri sayfasında 25 ° C'de ideal koşullar altında ve mükemmel bir yüzeye monte edilen sayılar kullanılır. Bir değer başkaları ile çarpılır. Bonus olarak, size bir anakart alırken nelere dikkat etmeniz gerektiğini gösteren iki tavsiyem var. 1) Bu DRAM ve VTT DDR adımı için voltaj adımıdır. 0.01 V VDRAM basamağa sahip olan ve bazıları 0.005 V olan panolar vardır. Yani, ilk durumda 1.35 V, 1.36 V alırız ve böylece birinci durumda, ikinci durumda 1.35 V, 1.355 V, 1.36 V alırız. İkinci durumda, DRAM'i dengeleme şansını önemli ölçüde artıracağız, çünkü aşırı voltaj herhangi bir hataya neden olabilir. 2) BIOS'ta ayarladığınız DRAM voltajı her zaman kesin olmayacaktır. Daha düşük olabilir, daha yüksek olabilir. Bazen VTT DDR’nin DRAM voltajının yarısı kadar bitmediği durumlar olabilir. Buna göre diğer değerleri de ayarlamanız gerekecektir. VTT DDR = 1/2 * vDRAM formülünü geri çağırın. Basamak boyutuna sahip kartlar otomatik olarak avantaj sağlar. Hafıza Seçenekleri Sık sık forumlarda duyuyorum "orada samsung b-die var, ancak düşük bir frekansta çalışıyorlar ve çok büyük bir voltajla çalışıyorlar, bu olamaz, AMD suçluyor". Açıklayacağım. RAM modülü yalnızca belirli bir üreticiden gelen yongalardan değil, aynı zamanda bazı sinyal hatlarını bulacağımız bir PCB'den de oluşuyor. Kondansatörler (çemberleme) ve tabii ki talaş bindirmenin büyük etkisi vardır. Örneğin, Samsung b-die cipslerini kullanarak Corsair'in RAM'lerini bulabiliriz, ancak bu ürünle ilgili kayıtların koparmadığını göremezsiniz (Ryzen platformuna bakarsanız). Buna karşılık, Corsair modüllerine kıyasla özel görünmeyen G.Skill Sniper-X 3400c16 var. Bununla birlikte, elde edilen frekansları karşılaştırırsak, o zaman G-Skill kitinin lehine 3200 - 3466 MHz ve 3666 - 3733 MHz gibi bir şey olduğu ortaya çıkacaktır. Bu nedenle, bir RAM seçerken, forumları ziyaret etmenizi öneririm. Tek bir modül için birleştirilmiş çoklu bellek yongaları, bu yongalardan birinin ayırt edici frekans-voltaj özelliklerine sahip olmasını mümkün kılar. Bu tür talaşlar, belirli bir frekansta dengelenmek için kardeşlerinden daha birkaç adım daha fazla voltaj gerektirebilir. Bununla, diğer talaşlar, artan voltaj nedeniyle dengesiz olabilir. Kullanıcı için ideal seçenek, 3.600 MHz'in üzerinde fabrika hızaşırtma özelliğine sahip bir kitin satın alınmasıdır. Bu, tüm yongaların hedeflenen frekansa ulaşabileceği konusunda size güvence verecektir. Bellek denetleyicisi Her iki Ryzen nesli de çoğu durumda 1733 - 1766 MHz (DDR-3466 - DDR-3525) arasındaki bir bellek saatiyle sınırlıdır. Elbette, daha yüksek frekanslarda çalışabilen durumlar vardır. Bellek denetleyicimizin ömrünü uzatmak için, sinyal eşleşmesini önemli ölçüde değiştiren, çok düşük bir procODT'de çalışabilen bellek modüllerini kullanmak mümkündür. Bellek denetleyicisinin procODT'sinin çalışma alanı AMD'ye göre 40 - 60 ohm arasındadır. 68 ohm zaten yeşil bölgenin dışında. Bu alandaki kararlılık, CAD ayarlarına ve anakartın kalitesine büyük ölçüde bağlı olacaktır. Yukarıdaki tablo procODT / RTT’nin frekansla nasıl değiştirilmesi gerektiğini göstermektedir Anlamak için mekanik bir saatin kadranını hayal edin. procODT saati sayar, RTT_PARK dakikaları sayar ve CAD saniyeler boyunca el gibi davranır. Her frekans için saatin kadranı farklı sonuçlar gösterecektir. Sistemi stabilize etmek için, önce komşu RTT / PARK değerlerini kontrol etmemiz ve sonra procODT'yi değiştirmemiz gerekir. CAD'yi değiştirmek için acele etmemelisiniz, çünkü çok fazla değişken vardır ve sistemi dengelemek için çok zaman kaybedebilirsiniz. CAD seçimi için çeşitli algoritmalar var, fakat şu anda ne kadar etkili olduklarını kesin olarak söyleyemem. CAD'in 24-24-24-24 baz değerinden çarpıcı bir farklılığa sahip olamayacağına ve çoğu durumda değerlerden birinin yukarı ya da aşağı sallanabileceğine inanıyorum. Yani, seçenek 24-30-24-24, 3466+ MHz frekansı için ek bir güvenlik sınırına sahip olabilir. Her BIOS güncellemesinin çalışan procODT veya RTT'yi değiştirebileceğini unutmayın. ProcODT ve RTT'ye Voltaj Bağımlılığı ProcODT ve DRAM gerilimi için farklı ayarları kullandığım küçük bir test yaptım. Fikir, test sırasında bir BSOD'dan kaçınmaktır. Bu basit ve kısa testte elde edilen sonuçlara dayanarak şunu söyleyebiliriz: procODT değiştirildikten sonra, DRAM'in kararlı çalışma voltajı değişebilir. Ayrıca RTT'nin hafızanın çalışma voltajı üzerinde hafif bir etkisi vardır. Soğuk Önyükleme veya Çift Başlangıç Soğuk ya da çift başlangıçlı karşılaşmamış (bazen üçlü) hiç Ryzen kullanıcısı yok. Sizi temin ederim ki bu konuda yanlış bir şey yok. Bu, bellek eğitimi ile yakından ilgilidir. Sistem ilk kez başlatılamadığında, kullanıcıya erişilemeyen ayarların bazılarını değiştiren ve sistemi yeniden başlatmaya çalışan bir algoritma tetiklenir. Bu fenomen procODT, RTT ve CAD'den etkilenebilir. Bazen harici bir saat çift başlangıç yapar. Her durumda, hesap makinesinin önerilerini izlemeye çalışın. Kullanışlı İpuçları ve Püf Noktaları SOC ve DRAM için çok yüksek voltaj kullanmayın. Hesap makinesi size istikrarlı bir sonuç için hangi değer aralığını denemeniz gerektiğini söyleyecektir. Genel olarak, en iyi SOC değerleri 0,97-1,025 V arasındadır. Jitter, sürme veya düşme kenarları ideal zamandan farklı zamanlarda meydana geldiğinde oluşur. Bazı kenarlar erken, bazıları geç oluşur. Dijital bir devrede, tüm sinyaller saat sinyallerine referansla iletilir. Dijital sinyalin yansımalar, semboller arası parazitlenme, karışma, PVT (proses-voltaj-sıcaklık) değişimleri ve diğer faktörlerin titreşime bağlı olarak sapması. Bazı jitter basitçe rastgele. RAM için her zaman ekstra soğutma kullanın. Düşük voltajlar ayrıca daha az ısı anlamına gelir. Isıyı azaltarak, sisteminizi daha kararlı hale getiren termal radyasyonu ve çürümeyi azaltırsınız. Sistem POST yapmadığında, çok fazla hata olduğunda veya bir BSOD oluştuğunda procODT veya RTT değişikliği yapılması gerekir. Tek ve nadir hatalar, aşağıdaki zamanlamaları manuel olarak değiştirerek çözülebilir: (1) tFAW (tRRDS * 4 Tek ve nadir hatalar, tRDWR (6'dan 9'a kadar) ve tWRRD'yi (1'den 4'e kadar) değiştirerek giderilebilir. Zamanlamaların çiftler halinde yapılandırılması gerektiğini unutmayın. Örnek: tRDWR6 ve tWRRD2, tRDWR6 ve tWRRD3, tRDWR6 ve tWRRD4, tRDWR7 ve tWRRD 1, vb. TRFC değiştirilerek tek ve nadir hatalar giderilebilir. Hesap makinesi tRFC için çeşitli seçenekler önerir. Ayrıca, tRC'nin tRFC'nin bir katı olduğunu unutmayın. Örneğin, tRC = 44 -> tRFC6 (veya 8) * 44; tRFC 2/4'ün Ryzen için yapılandırılmasına gerek yoktur. Geardown'ı etkinleştirmek sistem kararlılığını artırabilir. VDDP sistemin kararlılığını artırabilir. Önerilen aralık 855 mV ile 950 mV arasındadır. 10-15 mV'lık adımlarla artırmayı deneyin. Yayılı spektrumun devre dışı bırakılması sistemin kararlılığını artırabilir. Hataların kaynağı aynı zamanda overclock ile ilgili bir sorun olmayan Windows olabilir. TRCDRD ve tRP'yi 1 arttırmak, kararlılığı artırabilir ve bellek voltajı gereksinimlerini azaltabilir. RTT_NOM devre dışı bazen daha iyi bir stabiliteye sahip olacak. RTT_PARK veya procODT için artan direnç stabiliteyi artırabilir. TRC = tRAS + tRP kuralını takip etmeyi unutmayın. CLDO_VDDP. En iyi değerler: varsayılan (850 mV), 950 mV, 945 mV, 940 mV, 915 mV, 905 mV, 895 mV, 865 mV ve 840 mV. TWRWR SCL ve tRDRD SCL değerleri bile sistem kararlılığını artırabilir. Örneğin 4-4 veya 6-6. İşlemcinin aşırı hız aşırtması RAM'in dengesini olumsuz yönde etkileyebilir. CAD_BUS 24 30 24 24 iki modüllü konfigürasyonlar için ve 24 modülden oluşan konfigürasyonlar için 24-20-24-24 için faydalı olabilir. Yeni sürümler bellek ayarlama özelliklerini geliştirdiğinden, AGESA'ya yapılan güncellemeleri içeren anakart BIOS güncellemelerine dikkat edin. Performans Testi için kullanılan hazır ayarlar Yayınlanan tüm hazır ayarlar tam bir dengeye sahiptir. Unutmayın, evrensel bir ön ayar yok; anakart, bellek ve işlemci farklı topolojileri her zaman bir piyango vardır. Stabilite yoksa, önce SOC ve DRAM için bitişik voltajları deneyin. Daha fazla bilgi ve ön ayarlar Ryzen için DRAM Hesaplayıcıda bulunabilir. 2133 MHz - Varsayılan SOC Gerilimi: otomatik Bellek Voltajı: otomatik Power Down Modu: otomatik (etkin) Gear Down Modu: otomatik (etkin) Samsung b-die 3200 MHz CL14 XMP (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.35 V Power Down Modu: otomatik (etkin) Gear Down Modu: otomatik (etkin) Samsung b-die 3200 MHz CL14 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.36 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Samsung b-die 3200 MHz CL14 (çift sıralı) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.37 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Samsung b-die 3200 MHz CL14 (çoklu sıralama) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.35 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Samsung b-die 3200 MHz CL12 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1,50 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Samsung b-die 3333 MHz CL14 (çift sıralı) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1,39 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Samsung b-die 3400 MHz CL14 (çoklu sıralama) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1,39 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Samsung b-die 3466 MHz CL14 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.42 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Samsung b-die 3533 MHz CL14 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.44 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı RTT_PARK: 48 ohm (RZQ / 5) veya 60 ohm (RZQ / 4) Samsung b-die 3600 MHz CL14 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,1 V Bellek Voltajı: 1,45 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Hynix CJR 3200 MHz CL14 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.37 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Hynix CJR 3200 MHz CL14 (çoklu sıralama) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.37 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı procODT: 48 ohm RTT_NOM: 34 ohm (RZQ / 7) RTT_WR: devre dışı RTT_PARK: 40 ohm (RZQ / 6) Hynix CJR 3400 MHz CL14 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1,45 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Hynix CJR 3466 MHz CL16 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,025 V Bellek Voltajı: 1.35 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: devre dışı Hynix CJR 3600 MHz CL16 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,1 V Bellek Voltajı: 1.40 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Hynix CJR 3800 MHz CL16 (tek sıra) SOC Voltajı: 1,1 V Bellek Voltajı: 1.42 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Hynix MFR / AFR, Mikron b-die 3200 MHz CL16 (tek sıra) SOC Voltajı: 1.025VV Bellek Voltajı: 1.35 V - 1.37 V Power Down Modu: devre dışı Gear Down Modu: etkin Test Kurulumu ve Yazılım Performans sonuçları SiSoftware Sandra İşlemcilerin çok çekirdekli verimliliğini gösteren kriterler, işlemci çekirdeği ve ara bağlantılarının diğer tipik işlemcilerle karşılaştırıldığında ne kadar verimli olduğunu göstermektedir. Çekirdeklerin veri bloklarını işleyebilme ve bunları farklı ebatlarda ve farklı zincir ebatlarında işleme (üretici-tüketici paradigması) için başka bir çekirdeğe geçirme kabiliyeti ölçülür. Böylece, çekirdekler arasındaki ara bağlantının etkinliği kıyaslanmıştır; bununla birlikte, çekirdek sayısı (ve işlemciler) aynı zamanda daha fazla veri arabelleği aynı anda işlenebildiğinden (aka "uçarken") sayılır. Bu testte, zamanlama ve frekansların işlemcinin çoklu iş parçacığı performansını nasıl etkilediğini göstermek istedim. Gecikme süresi (% 21–28) ve Infinity Fabric (+% 17) için verim artışı görebiliyoruz. Bu sadece Ryzen işlemcilerde mevcut olan eşsiz bir fenomendir. BLANDER Maalesef, bellek overclock işlemi, sadece en az bellek erişimi ile, çoğunlukla kalıp üstü işlemci önbelleğinde çalışan iş yüklerinde belirgin bir artış sağlamıyor. Futuremark 3DMark Metro çıkışı Neden bu kadar düşük grafik ayarları seçtiğimi sorabilirsiniz. Sadece size grafik kartının özelliklerine bağlı olmayan sonuçları göstermek istedim; GPU şişe boynu olmayacak. Bu oyun (diğer pek çok oyun gibi) overclock işlemine iyi yanıt verdi. % 28'e varan bir artış görebiliriz (Ort. FPS). Bu testte minimum FPS tahmin edilemezdi, çünkü oyun motoru düzgün bir şekilde optimize edilmedi. Bu genellikle yamalar halinde sabitlenir. Assassin creed Odyssey Bu oyunda, asgari kalite ayarlarında bile, grafik kartı kısmi bir darboğaz. Minimum GPU çekirdek yükü% 85 idi. Bu, testin karma bir senaryo olduğu ve Ryzen 7 2700X işlemcisinin potansiyelini ortaya çıkarmak için GeForce GTX 1080 Ti'den daha güçlü bir grafik kartına ihtiyacınız olabilir. Bununla birlikte, doğru RAM overclocku (+% 30 ortalama FPS) nedeniyle performansta önemli bir artış gözlemleyebiliriz. CADI 3 Tomb Raider'in Gölgesi Sonuç Ne yazık ki, İnternet'te ince ayar hafızasına yeterince dikkat etmeyen pek çok inceleme ve makale var ve sadece çoğu durumda tamamen kararlı olmayan veya vasat bir performans sergileyen XMP profillerinden bahsetmiyorum. . Örneğin, stabilite eksikliğinden dolayı, bu kılavuzdaki testlere tipik XMP 3600 CL16-19 profilini dahil etmedim. Bu makaledeki el ile en iyi duruma getirilmiş ayarlar, işlemcinin varsayılan modunda çalışmasına rağmen çok büyük bir FPS artışı gösteriyor. Oyunlarda ortalama işlemci frekansı 3975 ile 4075 MHz arasında değişiyordu. Test sırasında karşılaştığım en ilginç konulardan biri, işlemci 4200 MHz'de çalışırken belleğin dengesiz olma eğilimindeydi. Buradaki açıklama CPU ve bellek overclock işlemlerinin tamamen bağımsız olmadığı - fiziksel olarak tek bir birim oluşturdukları için biri diğerini etkileyebilir. İşlemci ve RAM, bir dönmenin karşı tarafındadır. Aşırı hız aşırtmalı bir işlemci, RAM overloklama konusunda birkaç adım attığımız anlamına geliyor. Bu nedenle, makinenizi çoğunlukla oyunlarda kullanıyorsanız, yalnızca işlemciyi hızaşırtmaya odaklamanızı tavsiye etmiyorum. Herhangi bir oyunda, grafik kartı tüm sistemdeki en zayıf halka olacaktır. Her oyunda, bellek hızaşırtmasından performans artacaktır. Bir RTX 2080 Ti sizin için yeterli olmayacak ve bazı oyunlarda, SLI'de işlemcinin potansiyelini ortaya çıkarmak için oyununuzun SLI'yi desteklediğini düşünerek iki RTX 2080 Ti grafik kartına ihtiyacınız olabilir. Samsung'un çipleri tartışmasız Ryzen hafızası için en iyisi. 3200 MHz CL14 için seçenekler var ve ayrıca 4200 MHz CL18'e ulaşabilirsiniz, ancak çoğu durumda bunun için fazladan ödeme yapacaksınız. Samsung yongalarındaki tüm hafıza istisnasız 3533 MHz CL14'te çalışabilir. Samsung'a en fazla dolar ödemek istemiyorsanız, G.Skill Sniper X 3600 C19'u makul bir seçim yapan Hynix CJR'ye odaklamanızı tavsiye ederim. Şu anda, 2x8 GB'lık bir kit için 120 dolar satıyor. Ryzen işlemcilerle mükemmel şekilde eşleştirilebilen düşük maliyetli bir yüksek kaliteli bellek seti elde edeceksiniz. Benim tavsiyem, forumda size bileşenleri seçme zamanı geldiğinde sormak. Şu anda, diğer okuyucuların tavsiye verdikleri ve belirli seçimlerin yararları veya dezavantajları hakkında konuştukları bir sürü konu var ve birçoğu bir problemin çözülmesine veya hız aşırtma konusunda yardımcı olabilir. Yalnız değilsin, bu yüzden utanma - doğrudan benimle temas kurmaktan çekinmeyin. Son olarak, bazıları bellek overclock yeteneklerini geliştiren AGESA güncellemelerini içerebildiğinden, anakartınız için BIOS güncellemelerine dikkat edin.

Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar

Editörün Seçtiği Fırsatlar

Camper Erkek Pel K100944-003 : Amazon.com.tr: Moda https://www.amazon.com.tr/dp/B0D4Y9B6QK 22 sa. önce paylaşıldı

STANLEY Klasik Vakumlu Çelik Termos 2.3 lt Yeşil : Amazon.com.tr: Mutfak https://www.amazon.com.tr/Stanley-Klasik-Vakumlu-Paslanmaz-Termos/dp/B0BKLPF6FX?ref_=ast_sto_dp 5 sa. önce paylaşıldı

CARE + PROTECT Evrensel Halı ve Zemi·n Başlığı : Amazon.com.tr: Ev ve Yaşam https://www.amazon.com.tr/dp/B07MWMKFVJ 5 sa. önce paylaşıldı

Daha Fazla

Bu Konudaki Kullanıcılar: Daha Az

2 Misafir - 2 Masaüstü

5 sn

109
Cevap

15
Favori

5.352
Tıklama

Daha Fazla
İstatistik

Konu İstatistikleri Yükleniyor

Konuya Özel

5 oy

Öne Çıkar

Cevapla

Sayfa: 1 2 3 4 5

Giriş

Mesaj

mito1172

Yarbay

23653 Mesaj

AMD Ryzen Memory Tweaking ve Hızaşırtma Rehberi

Benzer içerikler