Araştırmacılar, nanometre altı çipler üretmek için yeni bir yöntem geliştirdi

Nanometre altı işlemciler hayal değil

Elektrik ve Elektronik Mühendisleri Enstitüsü (IEEE), yarı iletken üretim teknolojisinin 2037 yılına kadar 12 nm transistör uzunluğuyla yaklaşık 0,5 nm'ye ulaşacağını öngörürken, IBS araştırmacıları 1D MTB (mirror twin boundary, ayna ikiz sınır) kapısının 3,9 nm kadar küçülebileceğini iddia ediyor.

Ayrıca Bkz.ASML’nin yeni Hyper-NA makinesinin her biri 700 milyon dolar olabilir

2D yarı iletkenlere dayanan ultra küçük transistörleri üretmenin çok zor bir süreç olduğu biliniyor. Bilim insanları, geleneksel yarı iletken üretim süreçlerinde kapı uzunluğunu birkaç nanometrenin altına düşürmenin litografi çözünürlüğünün sınırlamaları nedeniyle çok zor olduğunu belirtiyor. Bu sorunu çözmek için Koreli bilim insanları, molibden disülfiti (MoS₂) ayna ikiz sınırı (MTB) kapı elektrotu olarak kullanarak 0,4 nm genişliğe ulaştıklarını açıkladı.

Araştırma ekibinin lideri JO Moon-Ho, 1D MTB tabanlı transistörün gelecekte düşük güçlü ve yüksek performanslı elektronik cihazların geliştirilmesinde önemli bir teknoloji haline gelmesini bekliyor.