Yeni Kayıt
Konudaki Resimler
|
En Beğenilen Resimler
Hızlı 
Bildirim
Samsung, 1nm sürecini tanıtmaya hazırlanıyor, seri üretim ise 2026’da
Sıcak Fırsatlarda Tıklananlar
Editörün Seçtiği Fırsatlar
Daha Fazla 
Bu Konudaki Kullanıcılar:
Daha Az 
3 Misafir - 3 Masaüstü
Giriş
Mesaj
-
-
1nm'den sonra hedefleri ne olacak? 0.75nm mi?
-
daha birkaç ay önce 2 nm altına zor düşecek çok yavaşlayacak vb. haberler yapılıyordu yakında bi firma da çıkıp 0.5 nm'yi tanıtacak
bundan 6-7 sene önce de aynı muhabbet 8-10 nm için vardı yanlış hatırlamıyorsam yok elektronlar sıçrarmış falan filan
-
Boşnak Ağa
kullanıcısına yanıt
Resmen sırf şu konuya yazı yazabilmek için üye oldum
Donanım haber misafir olarak yazdığım yazıyı paylaşmamış
Öncelikle
Üstteki doğru düzgün anlatmamış uçmuş gitmiş
Sizinde kaynak istemeniz ayrı ironi çünkü yanlış
"Firmalar sadece diğerlerine göre geride kalmamak için geometri değişimine gidiyor"
Geri kalmamak için değişime gitmiyorlar zorunda oldukları için gidiyorlar 2nm de FinFET üretin bakalım kuantum tünelleme olmadan yapabiliyor musunuz
"Sizin GAAFET,MBCFET dediğiniz şeyin mucidi zaten intel."
"In 1988, a Toshiba research team led by Masuoka demonstrated the first gate-all-around (GAA) MOSFET (GAAFET) transistor. It was an early non-planar 3D transistor, and they called it a "surrounding gate transistor" (SGT)."
doi:10.1109/IEDM.1988.32796
İlk patent
Samsung has been developing its proprietary implementation of GAA technology, called multi-bridge-channel FET (MBCFET) since 2002, according to Ryan Sanghyun Lee, vice president of market for Samsung Foundry. The company noted that its MBCFET technology uses a nanosheet device to enhance gate control, which can lead to significant performance improvements to the transistors.
İkinci patent yıl 2004 Samsung
https://patents.google.com/patent/US7402483B2/en
Üçüncü patent yıl 2012 Intel
https://patents.google.com/patent/US10847631B2/
Eeee hani Intel di?
"GAAFET/MBCFET zımbırtısı zaten ilk defa intel ile 2nm'de geliyor."
https://www.techpowerup.com/319517/intel-ceo-discloses-tsmc-production-details-n3-for-arrow-lake-n3b-for-lunar-lake
Intel CEO Pat Gelsinger engaged with press/media representatives following the conclusion of his IFS Direct Connect 2024 keynote speech—when asked about Team Blue's ongoing relationship with TSMC, he confirmed that their manufacturing agreement has advanced from "5 nm to 3 nm.
< Bu ileti mobil sürüm kullanılarak atıldı >
-
Eskiden çok donanım konuşulurdu bu forumlarda. Şimdi donanım almaya insanların gücü yetmediği için konuşanda tek tük kaldı. Ekonomi süper bu arada.
1 nm’nin heyecan verici olduğu kesin. Keşke pil ömrüne de yansısa bu gelişmeler.
< Bu ileti mobil sürüm kullanılarak atıldı > -
Sorun aslında güç değil işlemcilerin çok ısınması.
Şuan amiral tarafta Snap gen 3 var ,15 dakikalık testte güç kaybı %50'den fazla. Ee.o zaman neden amiral gemisi soc tercih edilsin ki?
Neredeyse tüm editörler şu olaya dikkat çekmiyor,kağıt üstünde değerlere bakıp birkaç benchmark test yapıp geçiyorlar.
Kaç nm olur bilinmez ama bu şekilde cayır cayır yanmaya devam ederse kimse cihaz değiştirmez. Zira alacağı cihazda gâvur gibi yandıktan sonra niye 2nm soc tercih etsin ki ?
< Bu mesaj bu kişi tarafından değiştirildi Violet Evergarden -- 1 Haziran 2024; 10:37:53 >
En Beğenilen Yanıtlar
Tüm Yanıtları Genişlet
|
Resmen sırf şu konuya yazı yazabilmek için üye oldum Donanım haber misafir olarak yazdığım yazıyı paylaşmamış Öncelikle Üstteki doğru düzgün anlatmamış uçmuş gitmiş Sizinde kaynak istemeniz ayrı ironi çünkü yanlış "Firmalar sadece diğerlerine göre geride kalmamak için geometri değişimine gidiyor" Geri kalmamak için değişime gitmiyorlar zorunda oldukları için gidiyorlar 2nm de FinFET üretin bakalım kuantum tünelleme olmadan yapabiliyor musunuz "Sizin GAAFET,MBCFET dediğiniz şeyin mucidi zaten intel." "In 1988, a Toshiba research team led by Masuoka demonstrated the first gate-all-around (GAA) MOSFET (GAAFET) transistor. It was an early non-planar 3D transistor, and they called it a "surrounding gate transistor" (SGT)." doi:10.1109/IEDM.1988.32796 İlk patent Samsung has been developing its proprietary implementation of GAA technology, called multi-bridge-channel FET (MBCFET) since 2002, according to Ryan Sanghyun Lee, vice president of market for Samsung Foundry. The company noted that its MBCFET technology uses a nanosheet device to enhance gate control, which can lead to significant performance improvements to the transistors. İkinci patent yıl 2004 Samsung https://patents.google.com/patent/US7402483B2/en Üçüncü patent yıl 2012 Intel https://patents.google.com/patent/US10847631B2/ Eeee hani Intel di? "GAAFET/MBCFET zımbırtısı zaten ilk defa intel ile 2nm'de geliyor." https://www.techpowerup.com/319517/intel-ceo-discloses-tsmc-production-details-n3-for-arrow-lake-n3b-for-lunar-lake Intel CEO Pat Gelsinger engaged with press/media representatives following the conclusion of his IFS Direct Connect 2024 keynote speech—when asked about Team Blue's ongoing relationship with TSMC, he confirmed that their manufacturing agreement has advanced from "5 nm to 3 nm. |
Sayfa:
1
Ip işlemleri
Bu mesaj IP'si ile atılan mesajları ara Bu kullanıcının son IP'si ile atılan mesajları ara Bu mesaj IP'si ile kullanıcı ara Bu kullanıcının son IP'si ile kullanıcı ara
KAPAT X
Bu mesaj IP'si ile atılan mesajları ara Bu kullanıcının son IP'si ile atılan mesajları ara Bu mesaj IP'si ile kullanıcı ara Bu kullanıcının son IP'si ile kullanıcı ara
KAPAT X
